Molecular beam epitaxy of magnetic manganese-doped semiconductors (B01)

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Durch optimiertes Wachstum von GaMnAs auf unterschiedlichen Substratorientierungen, durch Kodotierungsowie durch gezieltes Einbringen von Verspannung sollen die Eigenschaften des ferromagnetischenHalbleiters beeinflusst und so eine möglichst hohe Curie-Temperatur erreicht werden. In- undex-situ Temperbehandlung sowie Kodotierung mittels Si oder C soll in volumen- und modulationsdotiertenGaMnAs-Schichten verwendet werden um eine Erhöhung der Löcherkonzentration oder derMn-Atome auf Ga Gitterplätzen zu erreichen.