Molecular beam epitaxy of magnetic manganese-doped semiconductors (B01)

磁性掺锰半导体的分子束外延（B01）

• 批准号: 19595351
• 金额: --
• 依托单位: Laboratorium für Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Collaborative Research Centres
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2005-12-31 至 2016-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/19595351?language=en
• 关键词: Molecular; beam; epitaxy; magnetic; manganese

Durch optimiertes Wachstum von GaMnAs auf unterschiedlichen Substratorientierungen, durch Kodotierungsowie durch gezieltes Einbringen von Verspannung sollen die Eigenschaften des ferromagnetischenHalbleiters beeinflusst und so eine möglichst hohe Curie-Temperatur erreicht werden. In- undex-situ Temperbehandlung sowie Kodotierung mittels Si oder C soll in volumen- und modulationsdotiertenGaMnAs-Schichten verwendet werden um eine Erhöhung der Löcherkonzentration oder derMn-Atome auf Ga Gitterplätzen zu erreichen.

GaMnAs的最佳工作量是在不受干扰的衬底上进行的，通过对铁磁半导体的本征值进行分析，可以得到更高的居里温度韦尔登。原位温度处理使得Si或C在体积和调制上都能被GaMnAs-Schichten韦尔登，从而使Ga Gitterplätzen上的Löcherkonzentration或Mn-Atome发生反应。