Fundamentals of ion transport processes in resistive switching oxides (B03)

电阻开关氧化物中离子传输过程的基础知识 (B03)

• 批准号: 202263209
• 金额: --
• 依托单位: PGI-7: Elektronische Materialien
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Collaborative Research Centres
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2010-12-31 至 2022-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/202263209?language=en
• 关键词: Fundamentals; ion; transport; processes; resistive

In Project B3 we examine ion transport directly in oxide thin films and device structures by using stable isotopes and analysis with time-of-flight secondary ion mass spectrometry (ToF-SIMS). Experimental diffusion studies will be combined with atomistic simulations (such as classical molecular dynamics (MD) and kinetic Monte Carlo (KMC) simulations) to obtain a broad and deep understanding of ion transport in these oxides.

在项目B3中，我们通过使用稳定同位素和飞行时间二次离子质谱（ToF-SIMS）分析来直接检查氧化物薄膜和器件结构中的离子传输。实验扩散研究将与原子模拟（如经典分子动力学（MD）和动力学蒙特卡罗（KMC）模拟）相结合，以获得对这些氧化物中离子传输的广泛而深入的理解。