Entwicklung eines Analyseverfahrens zur schnellen Charakterisierung von kostengünstigem "Solar-Grade" Silicium für die Photovoltaik

Die Reinheit des für die Photovoltaikindustrie verwendeten Siliciums kann im Vergleich zur Halbleiterindustrie um bis zu维耶Größenungen geringer sein，um dennoch gute Wirkungsgrade bei Solarzellen zu erzielen.在这里，所有的3D金属都是由大尺寸的金属制成的，这些金属对太阳能发电机产生了影响。Zur Reinigung von Solarzellenfähigem Silicium（MG-Si）zu solarzellenfähigem Silicium，sogenanntem“solar-grade silicon”（SoG-Si），bieten die gerichtete Kristallisation und anschließandGetterprozesse eine kostengünstige Alternative zu herkömmlichen Reinigungsverfahren. Um zuverläsoussagen über die im gereinigten Silicium noch vorliegenden 3d-Metalle machen zu könnnen und die Reinigungsverfahren zu optimieren，soll ein analytisches，summsiertes Verfahren zur schnellen Charakterisierung von SoG-Si entwickelt韦尔登.本文介绍了用电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）和原子吸收光谱法（AAS）进行中子活化分析（INAA）。Neben den 3d Metallen sind auch die Gehalte der Dotierungsstoffe insbesondere von Bor wesentlich für die Eigenschaften der Solarzellen. Bor kann mit Hilfe der Planten-Gamma-Aktivierungsanalyze（PGAA）sehr schnell and zuverlässig nachgewiesen韦尔登. PGAA分析在韦尔登与“核研究与咨询集团”（NRG）的Hochflussreaktor（HFR）合作进行。

Die Reinheit des für die Photovoltaikindustrie verwendeten Siliciums kann im Vergleich zur Halbleiterindustrie um bis zu vier Größenordnungen geringer sein, um dennoch gute Wirkungsgrade bei Solarzellen zu erzielen. Hierbei sind vor allem die 3d Metall Gehalte von großer Bedeutung, da diese einen entscheidenden Einfluss auf den Wirkungsgrad von Solarzellen haben. Zur Reinigung von metallurgischem Silicium (MG-Si) zu solarzellenfähigem Silicium, sogenanntem „solar-grade silicon" (SoG-Si), bieten die gerichtete Kristallisation und anschließende Getterprozesse eine kostengünstige Alternative zu herkömmlichen Reinigungsverfahren. Um zuverlässige Aussagen über die im gereinigten Silicium noch vorliegenden 3d-Metalle machen zu können und die Reinigungsverfahren zu optimieren, soll ein analytisches, standardisiertes Verfahren zur schnellen Charakterisierung von SoG-Si entwickelt werden. Hierbei sollen die optische Emissionsspektrometrie mit induktiv-gekoppeltem Plasma (ICP-OES), die Atomabsorptionsspektrometrie (AAS) sowie die Instrumentelle Neutronenaktivierungsanalyse (INAA) eingesetzt werden. Neben den 3d Metallen sind auch die Gehalte der Dotierungsstoffe insbesondere von Bor wesentlich für die Eigenschaften der Solarzellen. Bor kann mit Hilfe der Prompten- Gamma-Aktivierungsanalyse (PGAA) sehr schnell und zuverlässig nachgewiesen werden. Die PGAA Analysen sollen in Kooperation mit dem Hochflussreaktor (HFR) der „Nuclear Research & consultancy Group" (NRG) in Petten (Niederlande) durchgeführt werden.