2016 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016). To be held October 2-7, 2016 at the Hilton Orlando, Buena Vista Hotel in Orlando, Florida,

2016 年氮化物半导体国际研讨会 (IWN 2016)。

基本信息

  • 批准号:
    1630294
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    2016-06-01 至 2016-11-30
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The proposed project seeks financial support for graduate students who will attend their first national meeting, young faculty who will give oral presentation, and those who belong to the underrepresented groups to attend a Workshop that will be held October 2-7, 2016 at the Hilton Orlando, Buena Vista Hotel in Orlando, Florida, The Workshop will allow to promote science by providing a forum for exchange of knowledge among scientists and engineers working in the field of III-nitride semiconductor materials and devices It will address a large variety of topics with emphasis on growth, devices, defects and new material and device concepts. The workshop will include 20 invited talks and poster sessions. There will be three short courses and a rump session has also been planned. The courses will be on X-ray diffraction of GaN-related materials; Growth of GaN-on-Silicon applied to LED and HEMTs; and Simulation and modeling of GaN LEDs and HEMTs. The timing of this workshop is perfect for this generation of students to learn how the new science and technology of semiconductors is developing. It will help students and other young scientists to develop a multidisciplinary understanding of nitride semiconductor research.
拟议的项目寻求资金支持,将参加他们的第一次全国会议的研究生,将作口头报告的年轻教师,以及那些属于代表不足的群体参加将于2016年10月2-7日在佛罗里达州奥兰多的Buena Vista酒店的希尔顿·奥兰多举行的研讨会,研讨会将通过提供一个论坛,让从事III-氮化物半导体材料和器件领域的科学家和工程师之间的知识交流来促进科学。它将讨论各种主题,重点是生长、器件、缺陷和新材料和器件概念。研讨会将包括20个特邀讲座和海报会议。将有三个短期课程,还计划举行一次尾部会议。课程内容包括:GaN相关材料的X射线衍射;用于LED和HEMT的硅基GaN生长;以及GaN LED和HEMT的模拟和建模。举办这个研讨会的时机对这一代学生来说是完美的,让他们了解半导体新科学技术是如何发展的。它将帮助学生和其他年轻科学家发展对氮化物半导体研究的多学科理解。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Tomas Palacios其他文献

Demonstration of (AlGa)2O3-channel MOSFETs
(AlGa)2O3 通道 MOSFET 演示
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hironori Okumura;Yuji Kato;Takayoshi Oshima;Tomas Palacios
  • 通讯作者:
    Tomas Palacios
Demonstration of beta-(AlGa) 2 O 3 (010) metal-semiconductor field-effect transistors with high breakdown voltage over 900 V
击穿电压超过 900 V 的 beta-(AlGa) 2 O 3 (010) 金属半导体场效应晶体管演示
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hironori Okumura;Yuji Kato,Takayoshi Oshima;Tomas Palacios
  • 通讯作者:
    Tomas Palacios
Demonstration of Nitrogen-face AlN-based polarization field-effect transistors
氮面 AlN 基极化场效应晶体管的演示
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hironori Okumura;Jori Lemettinen;Sami Suihkonen;Tomas Palacios
  • 通讯作者:
    Tomas Palacios
Nitrogen-face AlN-based field-effect transistors
氮面 AlN 基场效应晶体管
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hironori Okumura;Jori Lemettinen;Sami Suihkonen;Tomas Palacios
  • 通讯作者:
    Tomas Palacios
Temperature Dependent Characteristics of InAlN/GaN HEMTs for mm-Wave Applications
  • DOI:
    10.1016/j.proeng.2015.09.222
  • 发表时间:
    2016-01-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
  • 作者:
    Weichuan Xing;Zhihong Liu;Geok Ing Ng;Tomas Palacios
  • 通讯作者:
    Tomas Palacios

Tomas Palacios的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Tomas Palacios', 18)}}的其他基金

Conference: Compound Semiconductor Week Conference ISCS/IPRM, May 29 - June 1, 2018, Massachusetts Institute of Technology, Boston, MA
会议:化合物半导体周会议 ISCS/IPRM,2018 年 5 月 29 日至 6 月 1 日,麻省理工学院,马萨诸塞州波士顿
  • 批准号:
    1831482
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 1万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Funding Request for the Organization of a Short Course on Spin Transport Physics and Devices during the 68th Device Research Conference. Held at the Univ. of ND June 21-23
在第 68 届器件研究会议期间组织自旋输运物理和器件短期课程的资金申请。
  • 批准号:
    1036822
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 1万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Workshop on the Future of Carbon-Nanoscience and Engineering, Dec. 3, 2010. To Be Held at Massachusetts Institute of Technology.
碳纳米科学与工程的未来研讨会,2010 年 12 月 3 日。将在麻省理工学院举行。
  • 批准号:
    1036108
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 1万
  • 项目类别:
    Standard Grant
CAREER: Terahertz Electronics based on Nitride Nanowire Transistors
职业:基于氮化物纳米线晶体管的太赫兹电子
  • 批准号:
    0846628
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 1万
  • 项目类别:
    Standard Grant

相似海外基金

Workshop: International Society for Microbial Electrochemistry and Technology (ISMET) 2016 Conference, Stanford University
研讨会:国际微生物电化学与技术学会 (ISMET) 2016 年会议,斯坦福大学
  • 批准号:
    1712411
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 1万
  • 项目类别:
    Standard Grant
International Travel Support to Attend US-EU Workshop on 2D Layered Materials and Devices. To be held September 13-15, 2016, University of Manchester, Manchester, UK.
参加美国-欧盟二维分层材料和器件研讨会的国际旅行支持。
  • 批准号:
    1636654
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 1万
  • 项目类别:
    Standard Grant
The International Space Science Institute (ISSI) Workshop - The Scientific Foundations of Space Weather; Bern, Switzerland; June 27 - July 1, 2016
国际空间科学研究所(ISSI)研讨会 - 空间天气的科学基础;
  • 批准号:
    1636761
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 1万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Workshop: Activities supporting the international Biodiversity and Ecosystem Service Scenarios Network; March 6-10, 2016, Monte Verita, Ascona, Switzerland
研讨会:支持国际生物多样性和生态系统服务情景网络的活动;
  • 批准号:
    1558568
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 1万
  • 项目类别:
    Standard Grant
17th International Workshop on Plant Membrane Biology, June 5-10, 2016, Annapolis, MD
第 17 届植物膜生物学国际研讨会,2016 年 6 月 5-10 日,马里兰州安纳波利斯
  • 批准号:
    1613774
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 1万
  • 项目类别:
    Standard Grant
International Workshop on Operator Theory and Applications 2016
2016年算子理论与应用国际研讨会
  • 批准号:
    1600703
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 1万
  • 项目类别:
    Standard Grant
International Workshop on Computational Network Biology: Modeling, Analysis, and Control (CNB-MAC 2016)
计算网络生物学国际研讨会:建模、分析和控制 (CNB-MAC 2016)
  • 批准号:
    1649426
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 1万
  • 项目类别:
    Standard Grant
WORKSHOP: Doctoral Consortium at the International Conference on Multimodal Interaction (ICMI 2016)
研讨会:多模式交互国际会议上的博士联盟 (ICMI 2016)
  • 批准号:
    1641044
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 1万
  • 项目类别:
    Standard Grant
The State of the Art in Language Production: A Special Session of the 2016 International Workshop on Language Production
语言生产的最新进展:2016年语言生产国际研讨会特别会议
  • 批准号:
    1555430
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 1万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Student Travel Grant: International Workshop on Topological Data Analysis in Biomedicine, Seattle, October 2, 2016
学生旅费资助:生物医学拓扑数据分析国际研讨会,西雅图,2016 年 10 月 2 日
  • 批准号:
    1654106
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 1万
  • 项目类别:
    Standard Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了