Gepulste Plasma-Epitaxie-Anlage

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„Optoelektronische Bauelemente auf der Basis von Galliumnitrid (GaN) wie LEDs für die Beleuchtungstechnik oder Laserdioden für neuartige Beamer werden heute zum weit überwiegenden Teil mit der Metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) hergestellt. Diese Herstellungsmethode hat für die Massenproduktion auf großen Flächen allerdings erhebliche Nachteile. Ein neuartiges Epitaxieverfahren auf der Basis einer gepulsten Plasma-Epitaxie eröffnet für die GaN-Technologie ein ganz neues Forschungsfeld. Die notwendigen Energien für die Oberflächendiffusion werden dort gezielt an der Oberfläche über die auftreffenden energiereichen Ionen im Plasma angeboten, ohne dass es zu Plasma-Schädigungen kommen sollte. Die Epitaxie kann sogar bei Raumtemperatur durchgeführt werden, was auch die Herstellung von InGaN-Schichten mit sehr hohen Indium- Konzentrationen und trotzdem sehr guten optischen Eigenschaften erlaubt. Zur Erforschung des Potentials der gepulsten Plasma-Epitaxie für die Herstellung GaN-basierter optoelektronischer Bauelemente wird hiermit eine entsprechend ausgerüstete gepulste Plasma-Epitaxieanlage beantragt. Die Anlage soll Teil des „Epi Competence Centers“ am Institut für Halbleitertechnik werden und die Basis für ein breit angelegtes Forschungsprogramm zur Entwicklung Plasma-gestützter Herstellungsverfahren für die GaN-Epitaxie werden.“