Gepulste Plasma-Epitaxie-Anlage

脉冲等离子体外延系统

• 批准号: 237815962
• 金额: --
• 依托单位: Technische Universität Braunschweig
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Major Research Instrumentation
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2012-12-31 至 无数据
• 项目状态: 未结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/237815962?language=en
• 关键词: Gepulste; Plasma; Epitaxie; Anlage

„Optoelektronische Bauelemente auf der Basis von Galliumnitrid (GaN) wie LEDs für die Beleuchtungstechnik oder Laserdioden für neuartige Beamer werden heute zum weit überwiegenden Teil mit der Metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) hergestellt. Diese Herstellungsmethode hat für die Massenproduktion auf großen Flächen allerdings erhebliche Nachteile. Ein neuartiges Epitaxieverfahren auf der Basis einer gepulsten Plasma-Epitaxie eröffnet für die GaN-Technologie ein ganz neues Forschungsfeld. Die notwendigen Energien für die Oberflächendiffusion werden dort gezielt an der Oberfläche über die auftreffenden energiereichen Ionen im Plasma angeboten, ohne dass es zu Plasma-Schädigungen kommen sollte. Die Epitaxie kann sogar bei Raumtemperatur durchgeführt werden, was auch die Herstellung von InGaN-Schichten mit sehr hohen Indium- Konzentrationen und trotzdem sehr guten optischen Eigenschaften erlaubt. Zur Erforschung des Potentials der gepulsten Plasma-Epitaxie für die Herstellung GaN-basierter optoelektronischer Bauelemente wird hiermit eine entsprechend ausgerüstete gepulste Plasma-Epitaxieanlage beantragt. Die Anlage soll Teil des „Epi Competence Centers“ am Institut für Halbleitertechnik werden und die Basis für ein breit angelegtes Forschungsprogramm zur Entwicklung Plasma-gestützter Herstellungsverfahren für die GaN-Epitaxie werden.“

光电子学研究进展镓氮基（GaN）和发光二极管研究进展<e:1>；激光二极管研究进展；激光激光器研究进展；金属组织气相外延（MOVPE）研究进展。Diese herstellungs方法认为：<s:1> r die massenproduction auf grof ßen Flächen allerdings erhebliche Nachteile。Ein neutiges Epitaxieverfahren auder Basis einer gepulsten plasma - epitaxxie eröffnet fgr die gan - technology Ein ganz neues Forschungsfeld。Die not endigen Energien f<s:1> r Die Oberflächendiffusion werden dort gezielt and der Oberfläche她Die auftreffenden energiereichen Ionen im Plasma angeboten， ohne deses zu Plasma-Schädigungen kommen solte。Die Herstellung von InGaN-Schichten mit Herstellung von InGaN-Schichten and trotzdem sehr guten optischen Eigenschaften erlaut是由铟- Konzentrationen和铟- Konzentrationen组成的。研究了脉冲等离子体外延的电势特性，并对脉冲等离子体外延的电势特性进行了分析。Die Anlage solil des Epi Competence Centers （Epi Competence Centers, Epi Competence Centers）是由德国<s:1>辐射技术研究所（institute of Halbleitertechnik werden）和德国基础技术研究所（Die Basis f<e:1>）联合开发的，该研究所是由德国生物技术研究所（Forschungsprogramm zur Entwicklung plasma - gestter Herstellungsverfahren f<e:1>）开发的。”