SBIR Phase II: Development of a Continuous Doping and Feeding System for Controlling the Resistivity of Floating Silicon Method Silicon Wafers

SBIR第二阶段:开发用于控制浮硅法硅片电阻率的连续掺杂和进料系统

基本信息

  • 批准号:
    2024523
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 99.88万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Cooperative Agreement
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    2020-10-01 至 2022-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The broader impact potential of this Small Business Innovation Research (SBIR) Phase II project is improved global solar panel manufacturing. To date, conventional solar panel manufacturing technologies are still expensive, but the market, estimated at $40 B, offers significant potential. The proposed technology will simplify the manufacturing process at industrial scales. It will reduce all-in solar manufacturing costs by 25% and the overall capital intensity of solar manufacturing by almost 50%. This Small Business Innovation Research (SBIR) Phase II project enables a commercial pilot of a single crystal wafer manufacturing technology. This novel technology can produce drop-in silicon wafers for solar panels in one step at 50% lower cost than the incumbent seven-step wafer technology. The project will extend the current production capabilities from a few wafers per batch into continuous production consistent with industrial use. Tasks include developing the subsystems to continuously feed raw silicon feedstock into the machine and controlling material properties to critical specifications for long production runs.This award reflects NSF's statutory mission and has been deemed worthy of support through evaluation using the Foundation's intellectual merit and broader impacts review criteria.
这个小企业创新研究(SBIR)第二阶段项目的更广泛的影响潜力是改善全球太阳能电池板制造。 迄今为止,传统的太阳能电池板制造技术仍然昂贵,但市场估计为400 B美元,具有巨大的潜力。该技术将简化工业规模的制造过程。 它将使太阳能制造总成本降低25%,并使太阳能制造的总体资本强度降低近50%。该小型企业创新研究(SBIR)第二阶段项目实现了单晶晶圆制造技术的商业试验。 这种新技术可以一步生产太阳能电池板的直接硅片,成本比现有的七步硅片技术低50%。该项目将扩大目前的生产能力,从每批几个晶圆到与工业用途一致的连续生产。 任务包括开发子系统,以连续向机器中进料原料硅,并将材料性能控制在长期生产运行的关键规格。该奖项反映了NSF的法定使命,并通过使用基金会的知识价值和更广泛的影响审查标准进行评估,被认为值得支持。

项目成果

期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Pulling thin single crystal silicon wafers from a melt: The new leading-edge solar substrate
从熔体中拉出薄单晶硅片:新型前沿太阳能基板
  • DOI:
    10.1016/j.jcrysgro.2022.126561
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.8
  • 作者:
    Daggolu, Parthiv;Appel, Jesse;Kellerman, Peter;Stoddard, Nathan
  • 通讯作者:
    Stoddard, Nathan
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  • 通讯作者:
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