Molecular beam epitaxy of tailored GaAs-based heterostructures (Z01)

定制 GaAs 基异质结构的分子束外延 (Z01)

• 批准号: 251207426
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe Optoelektronische Materialien und Bauelemente
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: CRC/Transregios
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2013-12-31 至 2016-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/251207426?language=en
• 关键词: Molecular; beam; epitaxy; tailored; GaAs

Dieses wissenschaftliche Serviceprojekt stellt für andere Projekte innerhalb des TRR folgende GaAs-basierte Proben zur Verfügung: Heterostrukturen mit eingebetteten (In,Ga)As Quantenpunkten mit maßgeschneiderten Emissions- und Biexzitonen-Bindungsenergien. Schottky-Dioden, die Quantenpunktmolekülen enthalten. Planare Resonator-Strukturen auf GaAs/AlAs-Basis mit integrierten Quantentöpfen. Heterostrukturen mit positionierten Quantenpunkten, die durch Wachstum auf vorstrukturierten Substraten präpariert werden. Alle Heterostrukturen werden mit Molekularstrahlepitaxie hergestellt.

在此基础上，提出了一种新的解决方案，即利用半导体技术和半导体技术，实现高性能的高性能和高性能的半导体材料。肖特基-狄奥登，他是一个热化过程。平面谐振器-Strukturen Auf GaAs/AlAs基MIT集成商Quantentöpfen。异型材的位置不同，不同的是，它们的底材也不同。所有的异位妊娠都是由遗传病引起的。