Molecular beam epitaxy of tailored GaAs-based heterostructures (Z01)

在此基础上，提出了一种新的解决方案，即利用半导体技术和半导体技术，实现高性能的高性能和高性能的半导体材料。肖特基-狄奥登，他是一个热化过程。平面谐振器-Strukturen Auf GaAs/AlAs基MIT集成商Quantentöpfen。异型材的位置不同，不同的是，它们的底材也不同。所有的异位妊娠都是由遗传病引起的。

Dieses wissenschaftliche Serviceprojekt stellt für andere Projekte innerhalb des TRR folgende GaAs-basierte Proben zur Verfügung: Heterostrukturen mit eingebetteten (In,Ga)As Quantenpunkten mit maßgeschneiderten Emissions- und Biexzitonen-Bindungsenergien. Schottky-Dioden, die Quantenpunktmolekülen enthalten. Planare Resonator-Strukturen auf GaAs/AlAs-Basis mit integrierten Quantentöpfen. Heterostrukturen mit positionierten Quantenpunkten, die durch Wachstum auf vorstrukturierten Substraten präpariert werden. Alle Heterostrukturen werden mit Molekularstrahlepitaxie hergestellt.