Growth dynamics and innovative spectroscopic techniques for real-time control of advanced electronics materials grown by molecular beam epitaxy

用于实时控制分子束外延生长的先进电子材料的生长动力学和创新光谱技术

基本信息

  • 批准号:
    DP0769992
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 26.25万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    澳大利亚
  • 项目类别:
    Discovery Projects
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    澳大利亚
  • 起止时间:
    2007-01-01 至 2010-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Many important semiconductor devices for communications, lasers, high speed electronics and optical sensing are based on materials grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE). This research will provide the first measurements of the reactions taking place during MBE and thus enable accurate growth of the complex multi-layered material required for improved semiconductor devices. In particular, this project will make a major contribution to Australia's established capability to produce and develop state-of-the art infrared sensors as required for defence applications, remote sensing of minerals and pollutants, chemical analysis, and health diagnostics. PhD students will be trained in advanced semiconductor growth and optical sensing technologies.
许多用于通信、激光、高速电子学和光学传感的重要半导体器件都是基于分子束外延(MBE)生长的材料。这项研究将首次对分子束外延过程中发生的反应进行测量,从而能够准确地生长改进的半导体器件所需的复杂的多层材料。特别是,该项目将对澳大利亚现有的能力做出重大贡献,以生产和开发国防应用、矿物和污染物遥感、化学分析和健康诊断所需的最先进的红外传感器。博士生将接受先进半导体生长和光学传感技术方面的培训。

项目成果

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