高効率タンデム型太陽電池実現に向けた新規化合物半導体の創製

创造新型化合物半导体以实现高效串联太阳能电池

基本信息

  • 批准号:
    21K04131
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2021-04-01 至 2024-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

令和4年度においても前年度に引き続き、CuxAg1-xGaS2(CAGS)半導体結晶の育成を中心に行った。前年度の垂直ブリッジマン法による結晶成長では、育成した結晶の組成の不均一性が問題となっていた。そこで令和4年度においては新たにボールミルを使用した結晶の育成を試みた。まず、Cu, Ag, Ga, Sを化学量論的に秤量し、ジルコニア製のボールと共にポットに入れた。次にオーバーポット方式の雰囲気制御容器に入れ、真空引きを行った後にアルゴンガスで充満した。アルゴンガス雰囲気下にした容器を遊星ボールミル装置にセットし、回転数を400~800 rpm、回転時間を1~3 hとして結晶の育成を試みた。まずCu組成xが零となるAgGaS2(AGS)において遊星ボールミルによる作製を行ったところ、目視にて黄色の一様な粉末が得られた。X線回折(XRD)測定を行ったところ、多くの回折ピークが得られたが、それらは報告されているAGSのPDFデータと良い一致を示した。このことから、得られた粉末はAGS結晶であることがわかった。しかし、400 rpmにて作製した試料においてはAGSのPDFデータには無いピークも同時に観測され、それらは未反応のAg等であることがわかった。均一なAGS結晶を得るためには、800 rpmで2 hの反応が必要であることがわかった。一方、得られた粉末状結晶のXRDスペクトルは、垂直ブリッジマン法で得られた結晶のスペクトルに比べ、ピークの半値幅が大きく、回折強度も小さかった。これは結晶性が悪いことが原因と考えられた。このため結晶のアニール処理を試みた。300~800度にて10分間アニールを行った結果、温度の上昇と共にXRDスペクトルにおいて回折ピークの強度が増し、ピーク半値幅も減少した。700度におけるアニールが結晶性の向上に有効であることがわかった。
在2022财年,与上一年一样,我们专注于增长Cuxag1-XGAS2(CAGS)半导体晶体。在上一年的垂直Bridgeman方法中,种植晶体的成分的不均匀性是一个问题。因此,在2022年,我们试图使用新的球厂种植晶体。首先,将Cu,Ag,Ga和S进行石化化量,并与氧化锆碗一起放入锅中。接下来,将容器放置在过度柱气氛控制容器中,进行真空,然后充满氩气。氩气气大气中的容器设置在行星磨坊装置中,晶体的旋转速度为400-800 rpm,旋转时间为1-3 h。首先,使用行星球厂制备了带有Cu组成X的Aggas2(AGS),并在视觉上获得了均匀的黄色粉末。 X射线衍射(XRD)测量结果产生了许多衍射峰,这与报道的AGS的PDF数据很好地一致。这表明获得的粉末是AGS晶体。然而,在以400 rpm制备的样品中,还观察到AGS的PDF数据中未发现的峰,并且发现这些峰是未反应的AG等。发现需要在800 rpm处进行2 h的反应以获得均匀的AGS晶体。另一方面,获得的粉末状晶体的XRD光谱大于垂直bridgeman方法获得的晶体,并且衍射强度较小。人们认为这是由于结晶度差。因此,尝试对晶体进行退火处理。由于在300-800度下退火10分钟,随着温度的升高,XRD光谱中衍射峰的强度增加,峰值最大宽度的宽度也降低。已经发现,在700度下退火可有效改善结晶度。

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Temperature dependence of the bandgap energy in chalcopyrite semiconductor AgGaxIn1-xS2
黄铜矿半导体 AgGaxIn1-xS2 中带隙能量的温度依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    尾崎俊二;佐野元昭
  • 通讯作者:
    佐野元昭
CuxAg1-xInSe2半導体の結晶成長とバンドギャップエネルギーの評価
CuxAg1-xInSe2 半导体的晶体生长和带隙能量评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    牛越勇渡;尾崎俊二
  • 通讯作者:
    尾崎俊二
AgIn(SxSe1-x)2半導体混晶の育成とバンドギャップエネルギーの評価
AgIn(SxSe1-x)2半导体混晶的生长及带隙能量评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    河野弘希;尾崎俊二
  • 通讯作者:
    尾崎俊二
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

尾崎 俊二其他文献

尾崎 俊二的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('尾崎 俊二', 18)}}的其他基金

自己規則化II-III2-VI4族半導体結晶の育成と物性評価
自序II-III2-VI4族半导体晶体的生长及物性评价
  • 批准号:
    11750251
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 2.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似国自然基金

含Re、Ru先进镍基单晶高温合金中TCP相成核—生长机理的原位动态研究
  • 批准号:
    52301178
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30.00 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
Research on the Rapid Growth Mechanism of KDP Crystal
  • 批准号:
    10774081
  • 批准年份:
    2007
  • 资助金额:
    45.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似海外基金

前駆体相からの結晶成長による単結晶有機薄膜蒸着プロセスの開発とデバイス応用
前驱体相晶体生长单晶有机薄膜沉积工艺及器件应用的开发
  • 批准号:
    23K23214
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ナトリウムフラックス法を用いた窒化ガリウム結晶の成長界面による低転位化
使用钠熔剂法降低氮化镓晶体生长界面的位错
  • 批准号:
    24KJ1636
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
MOD超電導薄膜の結晶成長のその場電子顕微鏡観察
MOD超导薄膜晶体生长的原位电镜观察
  • 批准号:
    24K08259
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
新奇量子系実現のための多元化合物ヘテロ界面の結晶成長
多组分化合物异质界面的晶体生长以实现新型量子系统
  • 批准号:
    24K08275
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
結晶成長におけるトポロジカル相に誘起されるパターン形成の研究
晶体生长中拓扑相诱导图案形成的研究
  • 批准号:
    24KJ0539
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了