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Realization of graphene TFT with high mobility and high on/off ratio using NiCO3/graphene hetero -junction

利用NiCO3/石墨烯异质结实现高迁移率和高开关比的石墨烯TFT

基本信息

批准号：
21K04163
负责人：
市川和典
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Matsue National College of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
起止时间：
2021-04-01 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21K04163/
关键词：
グラフェンヘテロ接合薄膜トランジスタ

项目摘要

Siに代わる高速のトランジスタ実現のためグラフェンを用いた高性能な薄膜トランジスタ（TFT）の研究を行っている。SiTFTをグラフェンTFTに置き換えるための条件として、ナノ構造の作製や修飾や転写を行わず、かつ汎用性の高いガスを用いてヘテロ接合を作り、高移動度を維持したまま高いON/OFF比を得る新たな技術が必要である。この研究の成功のカギは、どれだけパラメータを変えて合成条件の最適化を行うかにある。2年目となる今年度はNi中への炭素の導入時間の最適化を行う研究である。1年目に決定した合成温度900℃において炭素供給源となるアセチレンガスの導入時間を1分から10分までの間で変化させ、電気特性評価、ラマン分光測定によるグラフェンの膜質および、X線回折によるグラフェン合成後のNi化合物の膜質評価を行った。更に酸素濃度についても85%から100％と変化させ同様に評価を行った。研究結果についてこれまで800℃の合成温度においてグラフェンの合成にアセチレンガスを4分間の導入が必要であったが、900℃では4分以下でもグラフェンは合成された。炭素導入量を大きくすると電気特性の低下が顕著に表れ、逆に炭素導入量を少なくなると電気特性が向上し1分50秒を境に電気特性が低下するV字型の特性を示した。この電気特性の変化をラマン分光測定により評価すると、グラフェンの膜質はほとんど変化は見られなかった。しかしX線回折において炭素導入量が少ないとNiCO3に加えNiやNiCなどが混在し、炭素導入量が多い場合、Niは無くなるがNiCO3とNiOのピークが見られた。電気特性の変化は下のNi化合物が重要であることが明らかとなった。酸素依存性について酸素濃度100％でも従来の90％に比べほぼ変化は無く、XRDにもNiOのピークが見られることから、90％の酸素濃度が最適条件であることが分かった。

Si is used to study the performance of high-performance thin films (TFT) on behalf of high-speed equipment. The SiTFT system is designed to improve the performance of the device, to use the joint to improve the mobility of the ON/OFF, to improve the performance of the new technology. The study was successful, and the synthesis conditions were optimized. For 2 years, we will conduct a study on the import of carbon in Ni this year. It was determined that the synthesis temperature was 900C and the carbon was stored at 900C for the source. The temperature was 1: 10. The temperature was 10 minutes. The temperature was determined. After the synthesis, the Ni compound film was characterized by X-ray analysis and X-ray analysis. More acidity, temperature, temperature, The results of the study show that the synthesis temperature is 800 ℃, the temperature is 800 ℃. Large carbon consumption, low electrical characteristics, low carbon consumption, low carbon consumption, low carbon consumption, The characteristics of the electronic equipment have been improved, and the optical properties have been determined by spectrophotometry. The amount of carbon needed to reduce the amount of carbon used in the X-ray is much lower than that of the Ni NiC. The amount of carbon is mixed, and the amount of carbon is not changed. The amount of carbon is not changed. NiCO3, NiO, NiO, carbon, carbon and carbon. The importance of Ni compounds under the degradation of electrical properties is very important. The concentration of acid is 100% higher than that of XRD, XRD, temperature, temperature