蓄積電荷測定法の開発と不完全電荷注入現象の解明

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本研究課題はH30-R3年度科研費「蓄積電荷測定法による有機／金属界面の電荷注入障壁測定」に関する継続課題であり、蓄積電荷測定法の開発を継続し、電荷注入が不完全となる現象の起源を明らかにするというものである。R4年度においては、R5年度に行ったペンタセンおよびフタロシアニンの電子注入障壁の測定結果を論文にまとめた（Organic Electonics誌印刷中）。関連してペンタセンを利用したコンデンサー型スイッチングデバイスの作成に成功した。この成果は、実用性というよりも蓄積電荷測定法が対象とする金属／絶縁体／有機半導体／金属接合の特性を明らかにする点で意味がある成果である（投稿準備中）。またC8-BTBTに関しては、試料作製条件によって電荷注入障壁の大きさが変化することを見出した。このことはHOMOの位置が変わることを示唆している。この結果は不思議な結果であるが、UPS等の実験結果とも一致しており、分極による効果が反映されたものと考えている（投稿準備中）。またS-DNTT-10および自己組織化膜の作るポテンシャル測定の結果に関しても、実験データが得られており論文投稿の準備をしている。上記の結果と合わせて、whispering gallery mode 共鳴を用いた発光実験、有機トランジスタに関する実験に関しても論文発表を行った。蓄積電荷測定法で得られる結果を完全に解析するためには、ポテンシャルとキャリア分布の時間依存性の計算を行うことが必要と考えており、現在計算を行うための準備もしている。