Study for carrier dynamics on semiconductor with THz free electron laser
Study for carrier dynamics on semiconductor with THz free electron laser
太赫兹自由电子激光半导体载流子动力学研究
批准号：
20K12491
负责人：
川瀬 啓悟
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2022
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2022-01-04 至 2025-03-31
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英文摘要
研究期間の中断をはさんで、今年度本研究の実施を再開した。引き続き真性半導体に対してフェムト秒レーザーで励起したキャリアのテラヘルツ領域の自由電子レーザーによるダイナミクス計測研究を実施した。特に試料としてガリウムヒ素に対しては、ピコ秒オーダーとナノ秒オーダーのテラヘルツパルスの反射と透過、吸収の測定実験を進め、シリコンやゲルマニウムに対しては、マイクロ秒オーダーの測定を実施した。これらの実験結果については、国際会議(FEL2022)にて進捗を発表した。また、ガリウムヒ素の反射特性についての論文を現在海外学術誌に投稿中である。
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会议论文
Detail study for the laser activating reflective switch for THz free electron laser
太赫兹自由电子激光器激光激活反射开关的详细研究
太赫兹自由电子激光器激光激活反射开关的详细研究
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岩瀬彰宏, 千星 聡, 斎藤勇一, 堀 史説, Keigo Kawase]
通讯作者：
Keigo Kawase
GaAs半導体表面の光励起による単一THz FELパルスの取り出し
通过 GaAs 半导体表面光激发提取单个太赫兹 FEL 脉冲
通过 GaAs 半导体表面光激发提取单个太赫兹 FEL 脉冲
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Obayashi, A. Iwase, Y. Kaneno, T. Matsui, T. Wada, H. Kato, N. Ishikawa, F. Hori, 川瀬 啓悟]
通讯作者：
川瀬 啓悟
THz FELからの単一パルスの取り出しのためのプラズマスイッチの研究
太赫兹 FEL 单脉冲提取等离子体开关研究
太赫兹 FEL 单脉冲提取等离子体开关研究
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
Proceedings of the 17th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan
影响因子：
--
作者：
[川瀬啓悟, 誉田義英, 磯山悟朗]
通讯作者：
磯山悟朗
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