Low-temperature crystallization mechanism of amorphous SiGe alloys
Low-temperature crystallization mechanism of amorphous SiGe alloys
非晶SiGe合金的低温结晶机理
批准号：
20K15049
负责人：
OKUGAWA Masayuki
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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会议论文
非平衡プロセスにおける結晶成長
非平衡过程中的晶体生长
非平衡过程中的晶体生长
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. Kubo, I. Shohji, T. Kobayashi, 奥川将行]
通讯作者：
奥川将行
Structural Inhomogeneity and Crystallization of Amorphous Thin Films of Group IV Semiconductors
IV族半导体非晶薄膜的结构不均匀性和结晶化
IV族半导体非晶薄膜的结构不均匀性和结晶化
DOI：
10.2320/materia.61.432
发表时间：
2022
期刊：
Materia Japan
影响因子：
--
作者：
[奥川将行]
通讯作者：
奥川将行
アモルファスIV族半導体の構造不均一と結晶化に関する研究
非晶IV族半导体结构异质性与结晶化研究
非晶IV族半导体结构异质性与结晶化研究
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[長谷川 美貴, 大曲 仁美, Ryo Hamai，Shinki Koyama，Yukari Shiwaku，Tsuyoshi Kurobane，Kaori Tsuchiya，Osamu Suzuki, Jens R. Stellhorn, 奥川将行]
通讯作者：
奥川将行
Examination of the carbon nanotube base smart bone structure system aimed at the application about materials for robot structure application
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批准号：18560262
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.56万
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财政年份：2006
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负责人：OKUGAWA Masayuki
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依托单位：
海外基金
