Low-temperature crystallization mechanism of amorphous SiGe alloys

非晶SiGe合金的低温结晶机理

基本信息

  • 批准号:
    20K15049
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
非平衡プロセスにおける結晶成長
非平衡过程中的晶体生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Kubo;I. Shohji;T. Kobayashi;奥川将行
  • 通讯作者:
    奥川将行
Structural Inhomogeneity and Crystallization of Amorphous Thin Films of Group IV Semiconductors
IV族半导体非晶薄膜的结构不均匀性和结晶化
  • DOI:
    10.2320/materia.61.432
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    奥川将行
  • 通讯作者:
    奥川将行
アモルファスIV族半導体の構造不均一と結晶化に関する研究
非晶IV族半导体结构异质性与结晶化研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長谷川 美貴;大曲 仁美;Ryo Hamai,Shinki Koyama,Yukari Shiwaku,Tsuyoshi Kurobane,Kaori Tsuchiya,Osamu Suzuki;Jens R. Stellhorn;奥川将行
  • 通讯作者:
    奥川将行
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Prediction of Solute Element Segregation in Additive Manufactured Ni-based Superalloy using Multi-phase Field Simulation
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  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    OKUGAWA Masayuki;SAITO Kenji;WAKABAYASHI Makoto;KOIZUMI Yuichiro
  • 通讯作者:
    KOIZUMI Yuichiro
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    10.7791/jspmee.10.208
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    OKUGAWA Masayuki;MIYATA Yuichiro;WANG Lei;NOSE Kazufumi;KOIZUMI Yuichiro;NAKANO Takayoshi
  • 通讯作者:
    NAKANO Takayoshi

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    2024
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    $ 2.66万
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    $ 2.66万
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