Low-temperature crystallization mechanism of amorphous SiGe alloys
非晶SiGe合金的低温结晶机理
基本信息
- 批准号:20K15049
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Structural Inhomogeneity and Crystallization of Amorphous Thin Films of Group IV Semiconductors
IV族半导体非晶薄膜的结构不均匀性和结晶化
- DOI:10.2320/materia.61.432
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:奥川将行
- 通讯作者:奥川将行
アモルファスIV族半導体の構造不均一と結晶化に関する研究
非晶IV族半导体结构异质性与结晶化研究
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:長谷川 美貴;大曲 仁美;Ryo Hamai,Shinki Koyama,Yukari Shiwaku,Tsuyoshi Kurobane,Kaori Tsuchiya,Osamu Suzuki;Jens R. Stellhorn;奥川将行
- 通讯作者:奥川将行
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- 影响因子:0
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KOIZUMI Yuichiro
Melting and Solidification Behavior of 316L Steel Induced by Electron-Beam Irradiation for Additive Manufacturing
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2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
OKUGAWA Masayuki;MIYATA Yuichiro;WANG Lei;NOSE Kazufumi;KOIZUMI Yuichiro;NAKANO Takayoshi - 通讯作者:
NAKANO Takayoshi
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- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
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