Optical characterizations in the sub-bandgap energy region of nitride semiconductor alloy thin films for the development of low-internal-loss LD waveguides

氮化物半导体合金薄膜亚带隙能区的光学表征，用于开发低内损耗 LD 波导

• 批准号: 20K15182
• 负责人: Imai Daichi
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Meijo University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2022-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K15182/
• 关键词: 窒化物半導体; 面発光レーザー; AlInN; サブギャップ; 光熱偏向分光法; 分光エリプソメトリー; 光吸収過程; 混晶半導体; 光学定数; 半導体レーザー

项目成果

分光エリプソメトリーを用いたAl1-xInxN混晶の光学特性解析における誘電関数モデルの検討

椭圆偏振光谱法分析Al1-xInxN混晶光学性质的介电函数模型研究

• 发表时间: 2021
• 作者: 豊田隼大，村上裕人，宮田梨乃，今井大地，宮嶋孝夫;三好実人，竹内哲也
• 通讯作者: 三好実人，竹内哲也

サファイア基板上Al1-x Inx N混晶薄膜における基礎吸収端以下の光吸収過程

蓝宝石衬底上Al1-x Inx N混晶薄膜基本吸收边以下的光吸收过程

• 发表时间: 2022
• 作者: 村上 裕人;豊田 隼大;久保 寿敏;正木 京介;今井 大地;宮嶋 孝夫;三好 実人;竹内 哲也,
• 通讯作者: 竹内 哲也,

Near-bandgap optical properties of Al1－xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate

c面独立GaN衬底上生长的Al1－xInxN薄膜的近带隙光学特性

• DOI: 10.35848/1347-4065/ac148a
• 发表时间: 2022
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Hayata Toyoda;Yuto Murakami;Rino Miyata;Daichi Imai;Makoto Miyoshi;Tetsuya Takeuchi;and Takao Miyajima
• 通讯作者: and Takao Miyajima

Analysis of the optical constants and bandgap energy in Al1-xInxN alloys grown on a c-plane freestanding GaN substrate by using spectroscopic ellipsometry

使用光谱椭圆光度法分析 c 面独立式 GaN 衬底上生长的 Al1-xInxN 合金的光学常数和带隙能量

• DOI: 10.35848/1347-4065/abc29f
• 发表时间: 2020
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Daichi Imai;Yuto Murakami;Rino Miyata;Hayata Toyoda;Tomoaki Yamaji;Makoto Miyoshi;Tetsuya Takeuchi and Takao Miyajima
• 通讯作者: Tetsuya Takeuchi and Takao Miyajima

分光エリプソメトリーを用いたサファイア基板上Al1-x Inx N混晶のバンド端近傍における光学特性解析

利用光谱椭圆光度法分析蓝宝石衬底上 Al1-x Inx N 混晶带边附近的光学特性

• 发表时间: 2022
• 作者: 豊田 隼大;村上 裕人;宮田 梨乃;今井 大地;宮嶋 孝夫;三好 実人;竹内 哲也
• 通讯作者: 竹内 哲也