Continuous band engineering of quasi-InGaN ternary alloy based on short-period superlattices
Continuous band engineering of quasi-InGaN ternary alloy based on short-period superlattices
基于短周期超晶格的准InGaN三元合金连续能带工程
批准号：
15K18036
负责人：
Imai Daichi
金额：
$2.33万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
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Development of Superfine Structure One Monolayer-thick InN/GaN-Matrix MQW System using Novel ALEp Method: Dynamic-ALEp
使用新型 ALEp 方法：Dynamic-ALEp 开发超精细结构单层 InN/GaN 矩阵 MQW 系统
使用新型 ALEp 方法：Dynamic-ALEp 开发超精细结构单层 InN/GaN 矩阵 MQW 系统
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. Yoshikawa, K. Kusakabe, K. Wang, and D. Imai]
通讯作者：
and D. Imai
In-situ ellipsometry observation of Al adatoms and oxidation/nitridation processes for deactivating leak paths in nitride solar cells
用于消除氮化物太阳能电池泄漏路径的铝吸附原子和氧化/氮化过程的原位椭圆光度观察
用于消除氮化物太阳能电池泄漏路径的铝吸附原子和氧化/氮化过程的原位椭圆光度观察
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ke Wang, Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa]
通讯作者：
and Akihiko Yoshikawa
Proposal of “1 ML” InN / GaN Matrix Coherent-Structure QW System and Its Application for Novel Structure Photonic Devices
“1 ML”InN/GaN矩阵相干结构QW系统的提出及其在新型结构光子器件中的应用
“1 ML”InN/GaN矩阵相干结构QW系统的提出及其在新型结构光子器件中的应用
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. Yoshikawa, K. Kusakabe, K. Wang, and D. Imai]
通讯作者：
and D. Imai
1 ML InN/GaN matrix coherent-structure QW system and its evolution to short period superlattice-based InGaN ternary alloys
1 ML InN/GaN基相干结构QW系统及其向短周期超晶格基InGaN三元合金的演化
1 ML InN/GaN基相干结构QW系统及其向短周期超晶格基InGaN三元合金的演化
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. Yoshikawa, K. Kusakabe, K. Wang, and D. Imai]
通讯作者：
and D. Imai
Leak path passivation by in situ Al-N for InGaN solar cells operating at wavelengths up to 570 nm
通过原位 Al-N 对 InGaN 太阳能电池进行泄漏路径钝化，工作波长高达 570 nm
通过原位 Al-N 对 InGaN 太阳能电池进行泄漏路径钝化，工作波长高达 570 nm
DOI：
10.1063/1.4940970
发表时间：
2016
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[Ke Wang, Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa]
通讯作者：
and Akihiko Yoshikawa
共 11 条
Optical characterizations in the sub-bandgap energy region of nitride semiconductor alloy thin films for the development of low-internal-loss LD waveguides
-
批准号：20K15182
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项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2020
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负责人：Imai Daichi
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依托单位：
Development of the optical wave-guide of nitride based laser diodes by using InN/GaN short-period superlattices
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批准号：17K06360
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.0万
-
财政年份：2017
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负责人：Imai Daichi
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依托单位：
海外基金