Continuous band engineering of quasi-InGaN ternary alloy based on short-period superlattices

基于短周期超晶格的准InGaN三元合金连续能带工程

• 批准号: 15K18036
• 负责人: Imai Daichi
• 金额: $ 2.33万
• 依托单位: Meijo University (2016)Chiba University (2015)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15K18036/
• 关键词: 1分子層InN; 窒化物半導体; 短周期超格子; 擬似混晶（秩序混晶）

项目成果

Development of Superfine Structure One Monolayer-thick InN/GaN-Matrix MQW System using Novel ALEp Method: Dynamic-ALEp

使用新型 ALEp 方法：Dynamic-ALEp 开发超精细结构单层 InN/GaN 矩阵 MQW 系统

• 发表时间: 2015
• 作者: A. Yoshikawa;K. Kusakabe;K. Wang;and D. Imai
• 通讯作者: and D. Imai

In-situ ellipsometry observation of Al adatoms and oxidation/nitridation processes for deactivating leak paths in nitride solar cells

用于消除氮化物太阳能电池泄漏路径的铝吸附原子和氧化/氮化过程的原位椭圆光度观察

• 发表时间: 2015
• 作者: Ke Wang;Daichi Imai;Kazuhide Kusakabe;and Akihiko Yoshikawa
• 通讯作者: and Akihiko Yoshikawa

Proposal of “1 ML” InN / GaN Matrix Coherent-Structure QW System and Its Application for Novel Structure Photonic Devices

“1 ML”InN/GaN矩阵相干结构QW系统的提出及其在新型结构光子器件中的应用

• 发表时间: 2015
• 作者: A. Yoshikawa;K. Kusakabe;K. Wang;and D. Imai
• 通讯作者: and D. Imai

1 ML InN/GaN matrix coherent-structure QW system and its evolution to short period superlattice-based InGaN ternary alloys

1 ML InN/GaN基相干结构QW系统及其向短周期超晶格基InGaN三元合金的演化

• 发表时间: 2015
• 作者: A. Yoshikawa;K. Kusakabe;K. Wang;and D. Imai
• 通讯作者: and D. Imai

Leak path passivation by in situ Al-N for InGaN solar cells operating at wavelengths up to 570 nm

通过原位 Al-N 对 InGaN 太阳能电池进行泄漏路径钝化，工作波长高达 570 nm

• DOI: 10.1063/1.4940970
• 发表时间: 2016
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: Ke Wang;Daichi Imai;Kazuhide Kusakabe;and Akihiko Yoshikawa
• 通讯作者: and Akihiko Yoshikawa