Life prediction of next generation power semiconductors in space environment

太空环境下下一代功率半导体的寿命预测

基本信息

  • 批准号：
    20K19769
  • 负责人：
    Furuta Jun
  • 金额：
    $ 2.75万
  • 依托单位：
    Kyoto Institute of Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份：
    2020
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（4）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
アルファ線を利用したトータルドーズ効果によるSiC MOSFETの劣化測定
使用 α 射线测量 SiC MOSFET 由于总剂量效应引起的劣化
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    古田潤;小林和淑
  • 通讯作者：
    小林和淑
高ゲートバイアス印加による SiC パワー MOSFET の トータルドーズ回復現象の測定
通过施加高栅极偏压测量 SiC 功率 MOSFET 的总剂量恢复现象
  • DOI：
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    水嶋雅俊;小林和淑;古田潤
  • 通讯作者：
    古田潤
Measurement of Total Ionizing Dose Effects on SiC Trench MOSFETs by Gamma-ray and Alpha-particle Irradiation
通过伽马射线和阿尔法粒子辐照测量 SiC 沟槽 MOSFET 的总电离剂量效应
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    J. Furuta;K. Kobayashi;and M. Mizushima
  • 通讯作者：
    and M. Mizushima
放射線による半導体素子の一時故障と劣化現象
由于辐射导致的半导体器件的暂时故障和劣化现象
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ito Akira;Ueno Rei;Homma Naofumi;鶴田靖人;古田潤
  • 通讯作者：
    古田潤
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Furuta Jun其他文献

Evaluation of Soft Error Tolerance of Redundant Flip-Flop in 65nm Bulk and FD-SOI Processes.
65nm Bulk 和 FD-SOI 工艺中冗余触发器的软错误容限评估。
  • DOI：
    10.1109/tns.2013.2245344
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
    IEEE Transactions on Nuclear Science
  • 影响因子：
    1.8
  • 作者：
    Sonezaki Eiji;K. Kubota;Masuda Masaki;Kanda Shohei;Furuta Jun;Kobayashi Kazutoshi
  • 通讯作者：
    Kobayashi Kazutoshi
Evaluation of plasma-induced damage and bias temperature instability depending on type of antenna layer using current-starved ring oscillators
使用电流匮乏的环形振荡器评估等离子体引起的损坏和偏置温度不稳定性，具体取决于天线层的类型
  • DOI：
    10.7567/jjap.57.04fd12
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Kishida Ryo;Furuta Jun;Kobayashi Kazutoshi
  • 通讯作者：
    Kobayashi Kazutoshi
Evaluation of a Radiation-Hardened Method and Soft Error Resilience on Stacked Transistors in 28/65 nm FDSOI Processes
28/65 nm FDSOI 工艺中堆叠晶体管的抗辐射方法和软错误恢复能力评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Maruoka Haruki;Y. Kodai;Ebara Mitsunori;Furuta Jun;Kobayashi Kazutoshi
  • 通讯作者：
    Kobayashi Kazutoshi
A Radiation-hard Low-delay Flip-Flop with Stacking Structure for SOI Process
SOI工艺的具有堆叠结构的抗辐射低延迟触发器
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ebara Mitsunori;Y. Kodai;Furuta Jun;Kobayashi Kazutoshi
  • 通讯作者：
    Kobayashi Kazutoshi
Voltage Dependence of Single Event Transient Pulses on 65nm Silicon-on-Thin-BOX and Bulk Processes
65nm 薄盒硅和批量工艺上单粒子瞬态脉冲的电压依赖性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Sonezaki Eiji;Zhang Kui;Furuta Jun;Kobayashi Kazutoshi
  • 通讯作者：
    Kobayashi Kazutoshi

Furuta Jun的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
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{{ truncateString('Furuta Jun', 18)}}的其他基金

Radiation-hardened Design for Low-power Supercomputers
低功耗超级计算机的抗辐射设计
  • 批准号：
    17K14667
  • 财政年份：
    2017
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

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