Life prediction of next generation power semiconductors in space environment
Life prediction of next generation power semiconductors in space environment
太空环境下下一代功率半导体的寿命预测
批准号：
20K19769
负责人：
Furuta Jun
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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アルファ線を利用したトータルドーズ効果によるSiC MOSFETの劣化測定
使用 α 射线测量 SiC MOSFET 由于总剂量效应引起的劣化
使用 α 射线测量 SiC MOSFET 由于总剂量效应引起的劣化
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[古田潤, 小林和淑]
通讯作者：
小林和淑
高ゲートバイアス印加による SiC パワー MOSFET の トータルドーズ回復現象の測定
通过施加高栅极偏压测量 SiC 功率 MOSFET 的总剂量恢复现象
通过施加高栅极偏压测量 SiC 功率 MOSFET 的总剂量恢复现象
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[水嶋雅俊, 小林和淑, 古田潤]
通讯作者：
古田潤
Measurement of Total Ionizing Dose Effects on SiC Trench MOSFETs by Gamma-ray and Alpha-particle Irradiation
通过伽马射线和阿尔法粒子辐照测量 SiC 沟槽 MOSFET 的总电离剂量效应
通过伽马射线和阿尔法粒子辐照测量 SiC 沟槽 MOSFET 的总电离剂量效应
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[J. Furuta, K. Kobayashi, and M. Mizushima]
通讯作者：
and M. Mizushima
放射線による半導体素子の一時故障と劣化現象
由于辐射导致的半导体器件的暂时故障和劣化现象
由于辐射导致的半导体器件的暂时故障和劣化现象
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ito Akira, Ueno Rei, Homma Naofumi, 鶴田靖人, 古田潤]
通讯作者：
古田潤
Radiation-hardened Design for Low-power Supercomputers
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批准号：17K14667
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2017
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负责人：Furuta Jun
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依托单位：