Radiation-hardened Design for Low-power Supercomputers
Radiation-hardened Design for Low-power Supercomputers
低功耗超级计算机的抗辐射设计
批准号：
17K14667
负责人：
Furuta Jun
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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Evaluation of Heavy-Ion-Induced SEU Cross Sections of a 65 nm Thin BOX FD-SOI Flip-Flops Based on Stacked Inverter
基于堆叠逆变器的 65 nm 薄 BOX FD-SOI 触发器的重离子诱导 SEU 横截面评估
基于堆叠逆变器的 65 nm 薄 BOX FD-SOI 触发器的重离子诱导 SEU 横截面评估
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[遠藤 侑介, 松本 宗太郎, 上野 雄大, 住井 英二郎, 松本 行弘, T. Ikeda and M. Nagahara, M. Watanabe, 合志清一, 山岡吉生, Jun Furuta]
通讯作者：
Jun Furuta
Radiation-Hardened Structure to Reduce Sensitive Range of a Stacked Structure for FDSOI
抗辐射结构可减少 FDSOI 堆叠结构的敏感范围
抗辐射结构可减少 FDSOI 堆叠结构的敏感范围
DOI：
10.1109/tns.2019.2908722
发表时间：
2019
期刊：
IEEE Transactions on Nuclear Science
影响因子：
1.8
作者：
[K. Yamada, M. Ebara, K. Kojima, Y. Tsukita, J. Furuta, and K. Kobayashi]
通讯作者：
and K. Kobayashi
Impact of Combinational Logic Delay for Single Event Upset on Flip Flops in a 65 nm FDSOI Process
65 nm FDSOI 工艺中单事件翻转的组合逻辑延迟对触发器的影响
65 nm FDSOI 工艺中单事件翻转的组合逻辑延迟对触发器的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[J. Furuta, Y. Tsukita, K. Yamada, M. Ebara, K. Kojima, and K. Kobayashi]
通讯作者：
and K. Kobayashi
Evaluation of Soft-Error Tolerance by Neutrons and Heavy Ions on Flip Flops with Guard Gates in a 65 nm Thin BOX FDSOI Process
65 nm 薄盒 FDSOI 工艺中带保护栅极的触发器上中子和重离子的软错误容限评估
65 nm 薄盒 FDSOI 工艺中带保护栅极的触发器上中子和重离子的软错误容限评估
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Ebara, K. Yamada, K. Kojima, Y. Tsukita, J. Furuta, and K. Kobayashi]
通讯作者：
and K. Kobayashi
D-type Flip-flop Circuit
D型触发器电路
D型触发器电路
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Life prediction of next generation power semiconductors in space environment
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批准号：20K19769
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项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2020
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负责人：Furuta Jun
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依托单位：
海外基金