Development of dislocation dynamics simulator for 4H-SiC power devices
Development of dislocation dynamics simulator for 4H-SiC power devices
4H-SiC功率器件位错动力学模拟器的开发
批准号：
20K22384
负责人：
Hiroki Sakakima
金额：
$1.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-09-11 至 2022-03-31
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Comparative study of the effect of van der Waals interactions on stacking fault energies in SiC
范德华相互作用对 SiC 堆垛层错能影响的比较研究
范德华相互作用对 SiC 堆垛层错能影响的比较研究
DOI：
10.1063/5.0073402
发表时间：
2021
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[Sakakima Hiroki, Hatano Asuka, Izumi Satoshi]
通讯作者：
Izumi Satoshi
SiC結晶の積層欠陥エネルギーにファンデルワールス相互作用が与える影響の検討
范德华相互作用对SiC晶体堆垛层错能的影响研究
范德华相互作用对SiC晶体堆垛层错能的影响研究
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[土山晃平, 宮廻裕樹, 奈良高明, 榊間 大輝，波田野 明日可，泉 聡志]
通讯作者：
榊間 大輝，波田野 明日可，泉 聡志
Modeling the effect of mechanical stress on bipolar degradation in 4H-SiC power devices
模拟机械应力对 4H-SiC 功率器件双极退化的影响
模拟机械应力对 4H-SiC 功率器件双极退化的影响
DOI：
10.1063/5.0010648
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[Sakakima Hiroki, Goryu Akihiro, Kano Akira, Hatano Asuka, Hirohata Kenji, Izumi Satoshi]
通讯作者：
Izumi Satoshi
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
海外基金