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Development of dislocation dynamics simulator for 4H-SiC power devices
4H-SiC功率器件位错动力学模拟器的开发
基本信息
- 批准号：20K22384
- 负责人：
- 金额：$ 1.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-09-11 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（4）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Comparative study of the effect of van der Waals interactions on stacking fault energies in SiC
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- DOI：10.1063/5.0073402
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：Sakakima Hiroki;Hatano Asuka;Izumi Satoshi
- 通讯作者：Izumi Satoshi
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- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：土山晃平;宮廻裕樹;奈良高明;榊間 大輝，波田野 明日可，泉 聡志
- 通讯作者：榊間 大輝，波田野 明日可，泉 聡志
Modeling the effect of mechanical stress on bipolar degradation in 4H-SiC power devices
模拟机械应力对 4H-SiC 功率器件双极退化的影响
- DOI：10.1063/5.0010648
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：Sakakima Hiroki;Goryu Akihiro;Kano Akira;Hatano Asuka;Hirohata Kenji;Izumi Satoshi
- 通讯作者：Izumi Satoshi
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Hiroki Sakakima其他文献
Reaction pathway analysis for the contraction of 4H-SiC partial-dislocations pair in the vicinity of surface
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S. Izumi
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Satoshi Izumi
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