Elucidation and control of phonon properties in moire superlattices
Elucidation and control of phonon properties in moire superlattices
批准号:
21H01017
负责人:
毛利 真一郎
金额:
$11.48万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2021
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2021-04-01 至 2024-03-31
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英文摘要
本研究では、MoS2やグラフェンなどの原子層材料を2層ツイストして架橋させた、架橋モアレ超格子系を対象に、モアレ超格子の形成や周期がフォノン物性にどのような影響を与えるかを評価することが目的である。本年度は、架橋ツイスト2層グラフェンについて、金属蒸着によるラマンシフトについてを詳細に調べた。銅箔上にCVD成長したグラフェンを転写して作った架橋ツイスト2層グラフェンの場合、Ga金属の蒸着により、Gモードと2Dモードが低波数側にシフトする現象が観測される。シフトの詳細な解析から、この現象が、蒸着により引っ張り歪みが挿入されたためと考えられることがわかった。一方、最表面のグラフェンをCu(111)面上にエピタキシャル成長したグラフェンにした場合、Gモードと2Dモードが高波数側にシフトすることがあることも分かった。この試料では、積層する2つのグラフェンの種類が異なることで試料に当初から引っ張り歪みが挿入されており、それが金属蒸着により緩和されることで高波数シフトしたと考えられる。上記研究に加え、グラフェン同士やh-BNとグラフェンのツイスト2層系において、ラマン分光でフォノン物性を調べ、熱伝導測定も行った。現在、TEM測定と組み合わせることで、ツイスト角度依存性のデータをまとめている。上記研究に加え、大面積のMoS2やグラフェンの結晶成長に関する研究や分極材料によるドーピング効果でフォノン物性を含む光物性がどう変化するかの実験も行った。これらの研究も含め、14件の学会発表を行った。
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アルコールCVD法を用いたGaN上への酸化グラフェン成長
使用酒精 CVD 方法在 GaN 上生长氧化石墨烯
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[薮田翔平, 河瀬流星, 荒木 努, 毛利 真一郎]
通讯作者:
毛利 真一郎
Surface Potential of MoS2 Depending on the Polarity of GaN Substrate Measured by Kelvin Probe Force Microscope
开尔文探针力显微镜测量的 MoS2 表面电位随 GaN 衬底极性的变化
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[R. Kaipeng, Y. Komichi, T. Araki and S. Mouri]
通讯作者:
T. Araki and S. Mouri
グラフェン上での InN MBE 成長における窒素プラズマ照射時間の検討
石墨烯上InN MBE生长过程中氮等离子体辐照时间的研究
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[松島健太, 土井惇太郎, 荒木努, 毛利真一郎]
通讯作者:
毛利真一郎
KPFMによるGaN基板上MoS2の表面電位測定
KPFM 测量 GaN 衬底上 MoS2 的表面电位
DOI:
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发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[RONG KAIPENG, 小路 悠馬, 荒木 努, 毛利 真一郎]
通讯作者:
毛利 真一郎
Photoluminescence Properties of MBE-Regrown GaN on Free-Standing GaN Substrate
独立式 GaN 衬底上 MBE 再生长 GaN 的光致发光特性
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[D.Nakayama, R. Imamura, T. Araki, S. Mouri]
通讯作者:
S. Mouri
共 25 条
Study of van der Waals epitaxy using moire super lattice
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批准号:21K18913
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$3.99万
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财政年份:2021
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负责人:毛利 真一郎
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依托单位:
海外基金