高効率スピン流-電流・熱流変換を実現する新規ホイスラー合金材料の研究

实现高效自旋流-电流/热流转换的新型霍斯勒合金材料研究

基本信息

  • 批准号:
    21H01608
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.32万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2021-04-01 至 2024-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

超高真空スパッタ装置により、大きな異常ホール効果を持つことで知られるCo2MnGaのエピタキシャル薄膜を作製した。MgO基板をフラッシングにて清浄化させた後、室温成膜し、その後、ポストアニールをを行った。 膜厚は10~30nmまで変化させた。膜厚の大きな試料ほど高いL21規則度が得られ、30nmの試料においては、バルク単結晶に匹敵する大きな異常ホール伝導率を示した。第二高調波によるスピン軌道トルクの評価を行った結果、従来報告を超える大きなスピン軌道トルク効率を観測した。一方、大きなスピンホール効果を示しうる新規ホイスラー材料として、非磁性が最安定であるか、もしくは磁気転移温度の低く室温では非磁性である物質に注目し、重元素を含んだ新規なホイスラー合金の候補材料についてスピンホール伝導率の第一原理計算を進めた。その結果、いくつかの材料でPt等を超えるスピンホール伝導率を選られることがわかった。
Ultra high vacuum ス パ ッ タ device に よ り, big き な abnormal ホ ー ル unseen fruit を hold つ こ と で know ら れ る Co2MnGa の エ ピ タ キ シ ャ ル film を cropping し た. After the MgO substrate is cleaned させた by をフラッシ グにて グにて グにて, it forms a film at room temperature, followed by そ and をを をを をを をを をを をを をを をを をを をを をを をを をを った. The film thickness まで varies from 10 to 30nm させた. Large film thickness の き な sample ほ ど high い L21 が rules degrees have ら れ, 30 nm の sample に お い て は, バ ル ク 単 crystallization に match す る big き な abnormal ホ ー ル 伝 conductivity を shown し た. The second wave of high-profile に よ る ス ピ ン orbit ト ル ク の review 価 を line っ た results, 従 to report を え る big き な ス ピ ン orbit ト ル ク sharper rate を 観 measuring し た. One party, the big き な ス ピ ン ホ ー ル unseen fruit を shown し う る new rules ホ イ ス ラ ー material と し て, non-magnetic が most stable で あ る か, も し く は magnetic 気 planning moving low temperature の く room-temperature で は non-magnetic で あ を る material に attention し, heavy elements containing ん だ new rules な ホ イ ス ラ ー alloy の alternate material に つ い て ス ピ ン ホ ー ル 伝 conductivity の first principles calculation を into め た . そ の results, い く つ か の material で Pt を super え る ス ピ ン ホ ー ル 伝 conductivity を choose ら れ る こ と が わ か っ た.

项目成果

期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
ヨーデボリ大学(スウェーデン)
约德堡大学(瑞典)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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    吉川 智己;V. N. Antonov;河野 嵩;鹿子木 将明;角田 一樹;宮本 幸治;竹田 幸治; 斎藤 祐児;後藤 一希;桜庭 裕弥;宝野 和博;A. Ernst;木村 昭夫
  • 通讯作者:
    木村 昭夫
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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
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    {{ item.factor }}
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    {{ item.authors }}
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{{ showInfoDetail.title }}

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