Frontier of the compound thin-film solar cells with homojunction SnS
Frontier of the compound thin-film solar cells with homojunction SnS
批准号:
21H01613
负责人:
鈴木 一誓
金额:
$11.32万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2021
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2021-04-01 至 2024-03-31
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
2022年度の研究では、おもに2つの成果を得た。一つは、SnS単結晶とMoO3薄膜を接合することで高い変換効率を示す太陽電池が得られることである。変換効率は4.2%であり、SnS太陽電池の最高値(4.8%)には及ばなかったものの、開放電圧は430 mVに及び、従来のSnS太陽電池の最高値を上回った。このような高い変換効率は、SnS単結晶のダングリングボンドのない劈開面を用いたことに起因することを明らかにした。したがって、原理的にダングリングボンドのないホモ接合によってSnS薄膜太陽電池を構成すれば、高い開放電圧が期待できることを示した。もう一つは、p型SnS薄膜の堆積条件を明らかにしたことである。SnS薄膜の堆積においては、成膜圧力がモフォロジーに極めて大きな影響を与えること、および、より良いモフォロジーを得るには成膜圧力が低いほうが良いことを明らかにした。本研究では、ターゲット表面にスパッタガスを吹き付ける新しい構造のスパッタリングカソードを用いているが、これによって従来のスパッタ装置では実現できない低い成膜圧力にて成膜を行っており、このような方法が特にSnS薄膜の堆積には有効であることを示した。また、硫黄の蒸気圧が高いことからSnS薄膜の組成は一般的に硫黄欠損となることが知られているが、成膜中にプラズマ化した硫黄を供給することでSnS薄膜の組成をコントロールできることを明らかにした。加えて、SnSのスパッタリングにおいてはターゲット表面の組成が変化しやすく(硫黄が欠損しやすく)、この組成変化が得られるSnS薄膜のモフォロジーに大きな影響を与えることを発見した。このようなターゲット表面の硫黄欠損の傾向は、硫黄の蒸気圧を考慮すると当然のことではあるが、従来の研究報告では全く意識されていなかった。成膜前に研磨によりフレッシュなターゲット表面を準備することで安定して同じモフォロジーの薄膜が得られることも確認した。
期刊论文(30)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
DOI:
10.1088/2516-1075/ac6ea8
发表时间:
2022-05
期刊:
Electronic Structure
影响因子:
2.6
作者:
[Issei Suzuki;S. Kawanishi;Kiyohisa Tanaka;T. Omata;Shin–ichiro Tanaka]
通讯作者:
Issei Suzuki;S. Kawanishi;Kiyohisa Tanaka;T. Omata;Shin–ichiro Tanaka
Direct evaluation of hole effective mass of SnS?SnSe solid solutions with ARPES measurement
ARPES测量直接评价SnS?SnSe固溶体的孔有效质量
DOI:
10.1039/d1cp04553a
发表时间:
2022
期刊:
Physical Chemistry Chemical Physics
影响因子:
3.3
作者:
[Suzuki Issei, Lin Zexin, Kawanishi Sakiko, Tanaka Kiyohisa, Nose Yoshitaro, Omata Takahisa, Tanaka Shin-Ichiro]
通讯作者:
Tanaka Shin-Ichiro
N-Type SnS Thin Films Applicable for Homojunction Solar Cells
适用于同质结太阳能电池的N型SnS薄膜
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[I. Suzuki, S. Kawanishi, S.R. Bauers, A. Zakutayev, H. Shibata, M. Kim, H. Yanagi, T. Omata]
通讯作者:
T. Omata
不純物ドーピングによる硫化スズ薄膜のn型化に成功
通过杂质掺杂成功将硫化锡薄膜转化为n型
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
High open-circuit voltage in single-crystalline n-type SnS/MoO3 photovoltaics
单晶 n 型 SnS/MoO3 光伏电池的高开路电压
DOI:
10.1063/5.0143617
发表时间:
2023
期刊:
APL Mater.
影响因子:
--
作者:
[I. Suzuki, Z. Lin, T. Nogami, S. Kawanishi, B. Huang, A. Klein, T. Omata]
通讯作者:
T. Omata
共 27 条
Novel synthesis method for inorganic materials: electrochemical cation substitution
-
批准号:22K18897
-
项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
-
资助金额:$4.16万
-
财政年份:2022
-
负责人:鈴木 一誓
-
依托单位:
三元系酸化物群の基礎物性の解明
-
批准号:14J00763
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.41万
-
财政年份:2014
-
负责人:鈴木 一誓
-
依托单位:
国内基金
海外基金
登录
查看更多内容
硫缺陷调控多晶相SnS2-PANI复合膜构筑及其光电催化机制研究
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2025
-
负责人:李甜
-
依托单位:
SnS2异质结隧穿场效应晶体管器件设计
及性能研究
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:10.0万元
-
批准年份:2025
-
负责人:丛湘娜
-
依托单位:
铁电极化和空位缺陷作用下的二维半导体SnS阻变特性与机制研究
-
批准号:52302187
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:30万元
-
批准年份:2023
-
负责人:王林
-
依托单位:
离子辐照精准调控SnS2栅极敏感材料缺陷密度增强碳基FET型气体传感器性能的研究
-
批准号:12305330
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:30万元
-
批准年份:2023
-
负责人:周云
-
依托单位:
基于铁电极化调控SnS2的可编程新型室温NO2传感器
-
批准号:62301553
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:30万元
-
批准年份:2023
-
负责人:刘林
-
依托单位:
单层二维铁电SnS面内铁电极化特性研究
-
批准号:2023JJ30199
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2023
-
负责人:朱孟龙
-
依托单位:
二维MoS2/SnS合金化调制及室温宽谱中红外光电探测器研究
-
批准号:LY23E020005
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2023
-
负责人:谢颖
-
依托单位:
热分解黄原酸金属配合物法制备铜锌锡硫太阳能电池缓冲层In2S3和SnS2的研究
-
批准号:--
-
项目类别:地区科学基金项目
-
资助金额:33万元
-
批准年份:2022
-
负责人:杨春燕
-
依托单位:
基于晶界工程的多晶SnS材料热电性能优化
-
批准号:--
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:30万元
-
批准年份:2022
-
负责人:何文科
-
依托单位:
能带和微结构调控提升SnS基多晶材料宽温区热电性能研究
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2022
-
负责人:吴宏
-
依托单位: