三元系酸化物群の基礎物性の解明

三元氧化物基本物理性质的阐明

• 批准号: 14J00763
• 负责人: 鈴木 一誓
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-25 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-14J00763/
• 关键词: 第一原理計算; 酸化物半導体; 三元系酸化物

前年度に引き続き、β-NaFeO2型酸化物の電子構造を第一原理計算によって解析し、結晶構造が電子構造に与える影響を検討した。Cu+やAg+などのd10電子配置のイオンを含むβ-NaFeO2型酸化物の電子構造においては、Cu+やAg+の周囲の局所構造や、最近接原子間距離（Cu-Cu、Ag-Ag距離）が、価電子帯の分散を決定する因子であることを明らかにした。これらの成果は、論文二報として発表予定である。また、β-CuGaO2薄膜の前駆体となるβ-NaGaO2薄膜を、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法によって作製し、各種成膜パラメータが得られる薄膜の組成や結晶性、配向性にどのような影響を与えるかを検討した。成膜するサファイア基板の配向面によって、種々の配向性をもつβ-NaGaO2薄膜が得られることが明らかとなった。また、スパッタリングや電子ビームによる成膜では、時間経過によってターゲットの組成が変化してしまうため、化学量論組成のβ-NaGaO2薄膜を得るためには、ターゲットの組成が変化しづらい成膜方法を検討する必要がある。

The electronic structure of β-NaFeO2-type acid compounds was analyzed by first-principles calculation in the past year, and the influence of crystal structure on electronic structure was discussed. The electronic structure of Cu+/Ag+-containing β-NaFeO2-type acids, the local structure of Cu+/Ag+-containing β-NaFeO2-type acids, the distance between the nearest atoms (Cu-Cu, Ag-Ag distance), and the dispersion factor of the electron band are clearly defined. The results of this paper are reported in the second report.β-NaGaO2 thin film precursor and β-NaGaO2 thin film preparation by electron evaporation method, film formation by various methods, film composition, crystallinity, alignment, and influence are discussed. The orientation of the substrate and the orientation of the seed are the main factors for the formation of the β-NaGaO2 thin film. The composition of the film is changed by time, and the composition of the film is changed by chemical quantity.

项目成果

Structure of β-AgGaO2; ternary I-III-VI2 oxide semiconductor with a wurtzite-derived structure

具有纤锌矿结构的三元 I-III-VI2 氧化物半导体的结构；

• DOI: 10.1016/j.jssc.2014.11.012
• 发表时间: 2015
• 期刊: Journal of Solid State Chemistry
• 影响因子: 3.3
• 作者: Hiraku Nagatani;Issei Suzuki;Masao Kita;MasahikoTanaka;Yoshio Katsuya;Osami Sakata;Takahisa Omata
• 通讯作者: Takahisa Omata

直接遷移型ナローギャップ半導体; ウルツ鉱型β-CuGaO2

直接过渡窄带隙半导体；纤锌矿β-CuGaO2

• 发表时间: 2014
• 作者: 長谷拓;鈴木一誓;喜多正雄;柳博;大橋直樹;小俣孝久
• 通讯作者: 小俣孝久

First Principle Calculations of Electronic Band Structures of Wurtzite β-CuGaO2 and β-AgGaO2

纤锌矿β-CuGaO2和β-AgGaO2电子能带结构的第一性原理计算

• 发表时间: 2014
• 作者: I. Suzuki;H. Nagatani;M. Kita;Y. Iguchi;C. Sato;H. Yanagi;N. Ohashi and T. Omata.
• 通讯作者: N. Ohashi and T. Omata.

A New Direct and Narrow Band Gap Oxide Semiconductor; Wurtzite CuGaO2

一种新型直接窄带隙氧化物半导体；

• 发表时间: 2014
• 作者: I. Suzuki;H. Nagatani;M. Kita;Y. Iguchi;C. Sato;H. Yanagi;N. Ohashi and T. Omata.;The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC8)
• 通讯作者: The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC8)