Topological Transport in atomic-layer superlattices
原子层超晶格中的拓扑输运
基本信息
- 批准号:21H01749
- 负责人:
- 金额:$ 11.07万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2021
- 资助国家:日本
- 起止时间:2021-04-01 至 2025-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究では、グラフェンと六方晶窒化ホウ素(Hexagonal boron nitride: hBN)の積層構造で形成されるモアレ超格子系をチャネルとした電子素子を開発する。2021年度は積層構造作製の実験環境を拡充し、より高いスループットでの原子層積層構造作製を実現した。また、電子素子評価のための極低温・強磁場・低ノイズ測定環境を構築した。2022年度は、この確立した素子作製プロセスと計測環境を用いて、複数のグラフェン/hBNへテロ構造素子を作製し、その磁気輸送特性を実施した。特に単層グラフェンを2枚、角度をずらして積層したツイスト2層グラフェン、2層グラフェンを2枚、同様に角度をずらして積層したツイスト2層-2層グラフェンの作製に成功し、低温・強磁場下での量子輸送特性評価から積層構造に依存した量子ホールプラトーの観測など、特有の量子輸送現象を観測することに成功した。さらに2層グラフェン/hBNヘテロ構造素子において、伝導チャネルを制御するための複数の微細ゲートを素子に組み込み、ゼロ磁場下における量子化コンダクタンスの観測と微細ゲートによる量子化コンダクタンスの制御を実証した。また2次元半導体材料として、二テルル化モリブデン(MoTe2)を用いた電子デバイスの作製に着手した。原子層積層構造を用いた、MoTe2へのグラファイト電極形成、微細工技術を用いた素子作製プロセスの確立、トランジスタ動作の実証に成功した。
In this paper, we study the formation of Hexagonal boron nitride (hBN) multilayer structure and the development of hexagonal boron nitride (hBN). 2021 - 2020- The environment for electron emission measurement is constructed at extremely low temperature, high magnetic field and low temperature. In 2022, we will establish a new method for the measurement of the environment, the construction of a plurality of carbon atoms, and the implementation of magnetic transport characteristics. Special single layer 2 layers, angle 2 layers, same angle 2 layers 2 layers 3 layers 3 layers 4 layers 5 layers 6 layers 7 layers 7 layers 8 layers 7 layers 8 layers 8 layers 9 layers 10 layers 9 layers 10 layers 9 layers The two-layer structure element is composed of a plurality of fine elements, and the quantized structure element is measured and controlled under a magnetic field. A two-dimensional semiconductor material (MoTe2) is prepared by using electronic materials. The application of atomic layer structure, the formation of MoTe2 particles, and the establishment and implementation of micro-fabrication techniques were successful.
项目成果
期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
hBN/グラフェン超格子におけるバレーホール状態と超伝導
六方氮化硼/石墨烯超晶格中的谷孔态和超导
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Fukami Yusuke;Iwasawa Masato;Sasaki Masahiro;Hosokai Takuya;Nakanotani Hajime;Adachi Chihaya;Fukumoto Keiki;Yamada Yoichi;森山 悟士
- 通讯作者:森山 悟士
Transport Properties in Folded Bilayer-Bilayer Graphene/Hexagonal Boron Nitride Superlattices under High Magnetic Fields
高磁场下折叠双层-双层石墨烯/六方氮化硼超晶格的输运特性
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takuya Iwasaki;Motoi Kimata;Yoshifumi Morita;Shu Nakaharai;Yutaka Wakayama;Eiichiro Watanabe;Daiju Tsuya;Kenji Watanabe;Takashi Taniguchi;Satoshi Moriyama
- 通讯作者:Satoshi Moriyama
グラファイト/MoTe2/グラファイト積層構造の作製と電気伝導特性評価
石墨/MoTe2/石墨层状结构的制备及导电性能评价
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:冨塚祐弥;Amir Zulkefli;岩﨑拓哉;渡辺英一郎;津谷大樹;若山 裕;中払 周;森山悟士
- 通讯作者:森山悟士
二層-二層グラフェン/hBN超格子素子のキャリア輸送特性
双层-双层石墨烯/六方氮化硼超晶格器件的载流子传输特性
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:岩崎拓哉;守田佳史;中払周;若山裕;渡辺英一郎;津谷大樹;渡邊賢司;谷口尚;森山悟士
- 通讯作者:森山悟士
Electron transport tuning of graphene by helium ion irradiation
- DOI:10.1088/2632-959x/ac73ad
- 发表时间:2022-05
- 期刊:
- 影响因子:3
- 作者:S. Nakaharai;T. Iwasaki;Y. Morita;S. Moriyama;Shinichi Ogawa
- 通讯作者:S. Nakaharai;T. Iwasaki;Y. Morita;S. Moriyama;Shinichi Ogawa
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
森山 悟士其他文献
High-mobility transistors based on h-BN/diamond heterostructures
基于h-BN/金刚石异质结构的高迁移率晶体管
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
笹間 陽介;蔭浦 泰資;小松 克伊;森山 悟士;井上 純一;井村 将隆;渡邊 賢司;谷口 尚;内橋 隆;山口 尚秀;Yamaguchi Takahide - 通讯作者:
Yamaguchi Takahide
NEW DIAMOND vol. 25「hBNヘテロ界面を用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ」
NEW DIAMOND 第 25 卷“使用 hBN 异质界面的高迁移率金刚石场效应晶体管”
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
笹間 陽介;小松 克伊;森山 悟士;井村 将隆;寺地 徳之;渡邊 賢司;谷口 尚;内橋 隆;山口 尚秀 - 通讯作者:
山口 尚秀
ヘリウムイオン照射グラフェンの負の磁気抵抗
氦离子辐照石墨烯的负磁阻
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
岩崎 拓哉;Gabriel Agbonlahor;Manoharan Muruganathan;赤堀 誠志;守田 佳史;森山 悟士;小川 真一;若山 裕;水田 博;中払 周 - 通讯作者:
中払 周
Synthesis of Germanene at the Graphene/Ag(111) interface
石墨烯/Ag(111)界面上锗烯的合成
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
鈴木 誠也;岩崎 拓哉;K. Kanishka H. De Silva;末原 茂;渡邊 賢司;谷口 尚;森山 悟士;吉村 雅満;相澤 俊;中山 知信 - 通讯作者:
中山 知信
単分子動的挙動観測による結晶核形成瞬間の捕捉と結晶成長過程追跡
通过观察单分子动态行为捕捉晶体成核时刻并跟踪晶体生长过程
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
鈴木 誠也;岩崎 拓哉;K. Kanishka H. De Silva;末原 茂;渡邊 賢司;谷口 尚;森山 悟士;吉村 雅満;相澤 俊;中山 知信;中室貴幸,榊原雅也,灘浩樹,原野幸治,中村栄一 - 通讯作者:
中室貴幸,榊原雅也,灘浩樹,原野幸治,中村栄一
森山 悟士的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('森山 悟士', 18)}}的其他基金
原子層超格子構造によるトポロジカル伝導の創出と制御
使用原子层超晶格结构创建和控制拓扑传导
- 批准号:
23K21066 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
カーボンナノチューブ/化合物半導体複合単一電子デバイスの開発
碳纳米管/化合物半导体复合单电子器件的研制
- 批准号:
18710124 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似国自然基金
锑基III-V族化合物孪晶超格子纳米线的液相控制制备及相关电学性质研究
- 批准号:21901004
- 批准年份:2019
- 资助金额:25.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
超格子微粒的红外和微波性能研究
- 批准号:19204001
- 批准年份:1992
- 资助金额:4.5 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
相似海外基金
メンブレン超格子における高効率熱電変換素子の開拓
利用膜超晶格开发高效热电转换器件
- 批准号:
23K26379 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物超格子フォノニック結晶による室温熱輸送制御
使用氮化物超晶格声子晶体进行室温热传输控制
- 批准号:
23K26054 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
原子層超格子構造によるトポロジカル伝導の創出と制御
使用原子层超晶格结构创建和控制拓扑传导
- 批准号:
23K21066 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
異方性量子ドット三次元超格子の化学合成と協奏的光学特性の開拓
各向异性量子点三维超晶格的化学合成及其协同光学特性的发展
- 批准号:
23K26495 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
半導体超格子における室温テラヘルツ利得と非線形伝導の共存形態制御
半导体超晶格中室温太赫兹增益与非线性传导共存的控制
- 批准号:
24K00920 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
モアレ超格子によるスピン・バレー利用型量子素子の開発と物性制御
利用莫尔超晶格的自旋谷开发量子器件并控制物理特性
- 批准号:
23K20962 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Collaborative Research: Supercell Left Flank Boundaries and Coherent Structures--Targeted Observations by Radars and UAS of Supercells Left-flank-Intensive Experiment (TORUS-LItE)
合作研究:超级单元左翼边界和相干结构——雷达和无人机对超级单元左翼密集实验(TORUS-LItE)的定向观测
- 批准号:
2312994 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Standard Grant
半導体光スピン素子の性能向上にむけた超格子スピン増幅輸送の開拓
开发超晶格自旋放大传输以提高半导体光学自旋器件的性能
- 批准号:
23KJ0027 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体超格子構造を有する高性能平面型熱電変換デバイスの実現
半导体超晶格结构高性能平面热电转换器件的实现
- 批准号:
22KJ0939 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
カチオン欠損酸化チタンナノシートを用いた超格子構造と高性能二次電池の開発
使用缺阳离子二氧化钛纳米片开发超晶格结构和高性能二次电池
- 批准号:
23KF0082 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows