巨大エピタキシャル歪みが誘起する新奇超伝導の探索と解明
巨大エピタキシャル歪みが誘起する新奇超伝導の探索と解明
批准号:
21H01804
负责人:
打田 正輝
金额:
$11.56万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2021
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2021-04-01 至 2024-03-31
中文摘要
本研究では、ルチル型酸化物RuO2のエピタキシャル薄膜において発見された歪み誘起超伝導の研究を深め、巨大エピタキシャル歪みが誘起する電子格子状態の変化の解明と新奇超伝導の学理の構築を目指している。本年度は、同じ基板方位(TiO2(110)面)及び膜厚(約30nm)で超伝導を示すRuO2薄膜と超伝導を示さないRuO2薄膜を作りわけたのち、X線吸収分光によってRuサイトの軌道準位とOサイトとの混成強度の変化を明らかにした。具体的には、もともと等価であった2種類のRuサイトが巨大なエピタキシャル歪みによって非等価になりフェルミレベル近傍の軌道状態が大きく変化することが明らかになった。
英文摘要
本研究では、ルチル型酸化物RuO2のエピタキシャル薄膜において発見された歪み誘起超伝導の研究を深め、巨大エピタキシャル歪みが誘起する電子格子状態の変化の解明と新奇超伝導の学理の構築を目指している。本年度は、同じ基板方位(TiO2(110)面)及び膜厚(約30nm)で超伝導を示すRuO2薄膜と超伝導を示さないRuO2薄膜を作りわけたのち、X線吸収分光によってRuサイトの軌道準位とOサイトとの混成強度の変化を明らかにした。具体的には、もともと等価であった2種類のRuサイトが巨大なエピタキシャル歪みによって非等価になりフェルミレベル近傍の軌道状態が大きく変化することが明らかになった。
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トポロジカル半金属における新しい非散逸伝導機能の開拓
拓扑半金属中新的非耗散传导函数的探索
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[高木孝明, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, Fumito Araoka, 打田正輝]
通讯作者:
打田正輝
磁性ワイル半金属EuCd2Sb2薄膜における異常ホール角の最大化
磁性 Weyl 半金属 EuCd2Sb2 薄膜中反常霍尔角的最大化
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Noma Taishi, Araoka Fumito, Miyajima Daigo, 打田正輝]
通讯作者:
打田正輝
Magnetic excitations in the square-lattice iridate Ba2IrO4
方晶格铱酸盐 Ba2IrO4 中的磁激发
DOI:
10.1103/physrevb.107.054423
发表时间:
2023
期刊:
Physical Review B
影响因子:
3.7
作者:
[Clancy, J. P., Gretarsson, H., Lupascu, A., Sears, J. A., Nie, Z., Upton, M. H., Kim, Jungho, Islam, Z., Uchida, M., Schlom, D. G.]
通讯作者:
Schlom, D. G.
Maximizing anomalous Hall effect by tuning the Fermi level in simple Weyl semimetal EuCd2Sb2
通过调整简单外尔半金属 EuCd2Sb2 的费米能级来最大化反常霍尔效应
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. Uchida, M. Ohno, S. Minami, Y. Nakazawa, S. Sato, M. Kriener, R. Arita, M. Kawasaki]
通讯作者:
M. Kawasaki
Sr3Ru2O7薄膜における巨大エピタキシャル歪みにより誘起された強磁性状態
Sr3Ru2O7 薄膜中巨大外延应变诱导的铁磁态
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[大島蓮, 西早辰一, 藤田貴啓, M. Kriener, 川﨑雅司, 打田正輝]
通讯作者:
打田正輝
共 21 条
巨大な異常ホール応答を実現するトポロジカル磁性半導体の開発
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批准号:22K18967
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2022
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负责人:打田 正輝
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依托单位:
擬二次元遷移金属酸化物における電荷スピン軌道秩序相の低エネルギーダイナミクス
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批准号:09J05941
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2009
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负责人:打田 正輝
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依托单位:
国内基金
海外基金
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高性能抗氧化BOPP薄膜加工关键技术研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:王晓丽
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依托单位:
汽车后视镜用高耐腐蚀银合金薄膜材料开发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:林改
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依托单位:
基于稀疏天线阵列的薄膜铌酸锂光学相控阵
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批准号:JCZRMS202600414
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
CsₓWO₃/CeO₂异质结的构建及其自修复透明隔热薄膜研究
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批准号:2026JJ50456
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:谭彦妮
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依托单位:
智能化柔性光电薄膜材料精准制备平台
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批准号:JCZRMS202601078
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
钙钛矿准单晶薄膜的原子级气相沉积及其太阳能电池研究
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批准号:JCZRQNA202600009
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
用于粉体农药包装PVA薄膜的研发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:丁长明
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依托单位:
二维卤化物铁电钙钛矿电子态及电子输运性质研究与调控
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批准号:2026JJ50114
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:刘标
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依托单位:
(BiₓIn₁₋ₓ)₂Se₃ NW/MoS₂异质结构二阶非线性光学响应调控和机理研究
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批准号:2026JJ50115
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:陈智慧
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依托单位:
喷墨打印薄膜传感器曲面共形制造及界面强度调控方法
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:宋佳楠
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依托单位: