Efficient Single Photon Emission From III-Nitride Quantum Dots
Efficient Single Photon Emission From III-Nitride Quantum Dots
批准号:
19K15039
负责人:
Holmes Mark
金额:
$2.75万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2021-03-31
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GaN 量子ドット Bullseye 構造の光子高取り出し効率化の検討
提高GaN量子点牛眼结构光子提取效率的研究
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[青木伴晋, 高亢, 有田宗貴, 荒川泰彦, ホームズマーク]
通讯作者:
ホームズマーク
窒化ガリウム量子ドットからの光子の高取り出し効率構造の作製
氮化镓量子点高效光子提取结构的制备
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[青木伴晋, 高亢, 有田宗貴, 荒川泰彦, ホームズマーク]
通讯作者:
ホームズマーク
DOI:
10.1021/acsphotonics.1c00032
发表时间:
2021-03
期刊:
ACS Photonics
影响因子:
7
作者:
[Sijia Xia;Tomoyuki Aoki;K. Gao;M. Arita;Y. Arakawa;M. Holmes]
通讯作者:
Sijia Xia;Tomoyuki Aoki;K. Gao;M. Arita;Y. Arakawa;M. Holmes
Improving the single photon emission properties of III-nitride quantum dots
提高III族氮化物量子点的单光子发射性能
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Mark. J. Holmes, Sijia Xia, Tomoyuki Aoki, Kang Gao, Munetaka Arita, Yasuhiko Arakawa]
通讯作者:
Yasuhiko Arakawa
トップダウン法で作製された位置制御 GaN 量子ディスクの光学特性
自上而下法制造的位置控制GaN量子盘的光学特性
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S-J. Xia, M. Arita, Y. Arakawa]
通讯作者:
Y. Arakawa
共 7 条
Improving the coherence of III-nitride quantum dots
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批准号:22K04179
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.33万
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财政年份:2022
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负责人:Holmes Mark
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依托单位:
Zn:GaN for visible single photon emission
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批准号:17K14655
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.41万
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财政年份:2017
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负责人:Holmes Mark
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依托单位:
Device Physics of High Temperature Operational Single Photon Emitters
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批准号:15H06141
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项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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资助金额:$1.75万
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财政年份:2015
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负责人:Holmes Mark
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依托单位:
海外基金