Improving the single photon emission properties of III-nitride quantum dots
Improving the single photon emission properties of III-nitride quantum dots
复制标题
提高III族氮化物量子点的单光子发射性能
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yasuhiko Arakawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mark. J. Holmes;Sijia Xia;Tomoyuki Aoki;Kang Gao;Munetaka Arita;Yasuhiko Arakawa
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用于 III 族氮化物器件电流限制的 AlInN 层的选择性氧化
影响因子：
4
作者：
J. Dorsaz;H. Bühlmann;J. Carlin;N. Grandjean;M. Ilegems
通讯作者：
M. Ilegems
通过等离子体辅助 MBE 在 AlGaN 纳米柱中生长具有 AlN/GaN 布拉格反射器的 GaN/AlGaN 纳米腔
DOI：
10.1002/pssa.200460327
发表时间：
2005
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
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作者：
J. Ristić;E. Calleja;S. Fernández;A. Trampert;U. Jahn;K. Ploog;M. Povoloskyi;A. Carlo
通讯作者：
A. Carlo
具有高空间和光谱分辨率的单个氧化锌纳米柱的阴极发光研究
影响因子：
3.2
作者：
M. Schirra;A. Reiser;G. Prinz;A. Ladenburger;K. Thonke;R. Sauer
通讯作者：
R. Sauer
影响因子：
4
作者：
M. Lukitsch;Y. Danylyuk;V. Naik;Changhe Huang;G. Auner;L. Rimai;R. Naik
通讯作者：
M. Lukitsch;Y. Danylyuk;V. Naik;Changhe Huang;G. Auner;L. Rimai;R. Naik
射频等离子体辅助分子束外延在 n-(111)Si 上生长 GaN/AlGaN 纳米柱紫外发光二极管
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
Electronics Letters 44
影响因子：
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作者：
H. Sekiguchi;K. Kishino;A. Kikuchi
通讯作者：
A. Kikuchi