Zn:GaN for visible single photon emission

用于可见单光子发射的 Zn:GaN

基本信息

  • 批准号：
    17K14655
  • 负责人：
    Holmes Mark
  • 金额：
    $ 2.41万
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份：
    2017
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2017-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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Zn-doped GaN: Localized emission lines in the blue
掺锌 GaN：蓝色的局域发射线
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kang Gao;Tomoyuki Aoki;Munetaka Arita;Yasuhiko Arakawa;and Mark Holmes
  • 通讯作者：
    and Mark Holmes
Photoluminescence spectroscopy of sharp emission peaks in Zn-doped GaN
Zn 掺杂 GaN 中尖锐发射峰的光致发光光谱
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. Gao;T. Aoki;M. Arita;Y. Arakawa;and M. Holmes
  • 通讯作者：
    and M. Holmes
Observation of sharp emission lines from Zn-doped GaN
  • DOI：
    10.7567/1347-4065/ab0cff
  • 发表时间：
    2019-05
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    K. Gao;Tomoyuki Aoki;M. Arita;Y. Arakawa;M. Holmes
  • 通讯作者：
    K. Gao;Tomoyuki Aoki;M. Arita;Y. Arakawa;M. Holmes
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知道了