Fabrication of Direct Bandgap Group-IV Semiconductors by Utilizing Sn Alloying Technique Based on Rapid Melting Growth and Its Electrical Characterization
Fabrication of Direct Bandgap Group-IV Semiconductors by Utilizing Sn Alloying Technique Based on Rapid Melting Growth and Its Electrical Characterization
基于快速熔融生长的Sn合金化直接带隙IV族半导体及其电学表征
批准号：
19K15035
负责人：
Oka Hiroshi
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(4)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Tensile-strained GeSn-on-SOI MSM Photodetector Fabricated by Solid-phase Epitaxy
固相外延制备的拉伸应变 GeSn-on-SOI MSM 光电探测器
固相外延制备的拉伸应变 GeSn-on-SOI MSM 光电探测器
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Oka, W. Mizubayashi, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, T. Maeda, N. Uchida, K. Endo]
通讯作者：
K. Endo
Solid-phase Grown GeSn n-MOSFETs on GOI Wafer Fabricated by Flash Lamp Annealing
通过闪光灯退火在 GOI 晶圆上固相生长 GeSn n-MOSFET
通过闪光灯退火在 GOI 晶圆上固相生长 GeSn n-MOSFET
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Oka, W. Mizubayashi, T. Mori, Y. Ishikawa, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, and K. Endo]
通讯作者：
and K. Endo
Non-equilibrium solid-phase growth of amorphous GeSn layer on Ge-on-insulator wafer induced by flash lamp annealing
闪光灯退火诱导绝缘体上Ge晶圆上非晶GeSn层的非平衡固相生长
闪光灯退火诱导绝缘体上Ge晶圆上非晶GeSn层的非平衡固相生长
DOI：
10.35848/1882-0786/abdac4
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[Oka Hiroshi, Mizubayashi Wataru, Ishikawa Yuki, Uchida Noriyuki, Mori Takahiro, Endo Kazuhiko]
通讯作者：
Endo Kazuhiko
Flash lamp annealing processing to improve the performance of high-Sn content GeSn n-MOSFETs
闪光灯退火处理可提高高锡含量 GeSn n-MOSFET 的性能
闪光灯退火处理可提高高锡含量 GeSn n-MOSFET 的性能
DOI：
10.35848/1882-0786/ac1a47
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[Oka Hiroshi, Mizubayashi Wataru, Ishikawa Yuki, Uchida Noriyuki, Mori Takahiro, Endo Kazuhiko]
通讯作者：
Endo Kazuhiko
海外基金