Fabrication of Direct Bandgap Group-IV Semiconductors by Utilizing Sn Alloying Technique Based on Rapid Melting Growth and Its Electrical Characterization

基于快速熔融生长的Sn合金化直接带隙IV族半导体及其电学表征

基本信息

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Tensile-strained GeSn-on-SOI MSM Photodetector Fabricated by Solid-phase Epitaxy
固相外延制备的拉伸应变 GeSn-on-SOI MSM 光电探测器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Oka;W. Mizubayashi;T. Hosoi;T. Shimura;H. Watanabe;T. Maeda;N. Uchida;K. Endo
  • 通讯作者:
    K. Endo
Solid-phase Grown GeSn n-MOSFETs on GOI Wafer Fabricated by Flash Lamp Annealing
通过闪光灯退火在 GOI 晶圆上固相生长 GeSn n-MOSFET
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Oka;W. Mizubayashi;T. Mori;Y. Ishikawa;T. Hosoi;T. Shimura;H. Watanabe;and K. Endo
  • 通讯作者:
    and K. Endo
Non-equilibrium solid-phase growth of amorphous GeSn layer on Ge-on-insulator wafer induced by flash lamp annealing
闪光灯退火诱导绝缘体上Ge晶圆上非晶GeSn层的非平衡固相生长
  • DOI:
    10.35848/1882-0786/abdac4
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Oka Hiroshi;Mizubayashi Wataru;Ishikawa Yuki;Uchida Noriyuki;Mori Takahiro;Endo Kazuhiko
  • 通讯作者:
    Endo Kazuhiko
Flash lamp annealing processing to improve the performance of high-Sn content GeSn n-MOSFETs
闪光灯退火处理可提高高锡含量 GeSn n-MOSFET 的性能
  • DOI:
    10.35848/1882-0786/ac1a47
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Oka Hiroshi;Mizubayashi Wataru;Ishikawa Yuki;Uchida Noriyuki;Mori Takahiro;Endo Kazuhiko
  • 通讯作者:
    Endo Kazuhiko
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Oka Hiroshi其他文献

Oka Hiroshi的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似海外基金

一軸圧縮下での非晶質酸化物薄膜の特異な固相成長による新機能創発
通过单轴压缩下非晶氧化物薄膜的独特固相生长出现新功能
  • 批准号:
    15J11705
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
金属触媒を利用したシリコン単結晶固相成長におけるナノ造形過程の研究
金属催化剂固相生长硅单晶纳米加工工艺研究
  • 批准号:
    15651070
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了