Fabrication of Direct Bandgap Group-IV Semiconductors by Utilizing Sn Alloying Technique Based on Rapid Melting Growth and Its Electrical Characterization
基于快速熔融生长的Sn合金化直接带隙IV族半导体及其电学表征
基本信息
- 批准号:19K15035
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Tensile-strained GeSn-on-SOI MSM Photodetector Fabricated by Solid-phase Epitaxy
固相外延制备的拉伸应变 GeSn-on-SOI MSM 光电探测器
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Oka;W. Mizubayashi;T. Hosoi;T. Shimura;H. Watanabe;T. Maeda;N. Uchida;K. Endo
- 通讯作者:K. Endo
Solid-phase Grown GeSn n-MOSFETs on GOI Wafer Fabricated by Flash Lamp Annealing
通过闪光灯退火在 GOI 晶圆上固相生长 GeSn n-MOSFET
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Oka;W. Mizubayashi;T. Mori;Y. Ishikawa;T. Hosoi;T. Shimura;H. Watanabe;and K. Endo
- 通讯作者:and K. Endo
Non-equilibrium solid-phase growth of amorphous GeSn layer on Ge-on-insulator wafer induced by flash lamp annealing
闪光灯退火诱导绝缘体上Ge晶圆上非晶GeSn层的非平衡固相生长
- DOI:10.35848/1882-0786/abdac4
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:Oka Hiroshi;Mizubayashi Wataru;Ishikawa Yuki;Uchida Noriyuki;Mori Takahiro;Endo Kazuhiko
- 通讯作者:Endo Kazuhiko
Flash lamp annealing processing to improve the performance of high-Sn content GeSn n-MOSFETs
闪光灯退火处理可提高高锡含量 GeSn n-MOSFET 的性能
- DOI:10.35848/1882-0786/ac1a47
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:Oka Hiroshi;Mizubayashi Wataru;Ishikawa Yuki;Uchida Noriyuki;Mori Takahiro;Endo Kazuhiko
- 通讯作者:Endo Kazuhiko
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