Band-gap energy control of graphitic carbon nitride for the creation of environment-friendly semiconductor material

石墨氮化碳的带隙能量控制用于创建环境友好的半导体材料

基本信息

批准号：
19K15455
负责人：
Urakami Noriyuki
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Shinshu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（7）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Chemical Vapor Deposition of Boron‐Incorporated Graphitic Carbon Nitride Film for Carbon‐Based Wide Bandgap Semiconductor Materials

DOI：
10.1002/pssb.201900375
发表时间：
2019-11
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
0
作者：
N. Urakami;Maito Kosaka;Y. Hashimoto
通讯作者：
N. Urakami;Maito Kosaka;Y. Hashimoto

Chemical vapor deposition growth of boron incorporated graphitic carbon nitride film for carbon based semiconductor systems

用于碳基半导体系统的掺硼石墨氮化碳薄膜的化学气相沉积生长

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Urakami Noriyuki;Kosaka Maito;Hashimoto Yoshio
通讯作者：
Hashimoto Yoshio

浦上法之(信州大学SOAR)

浦上纪之（信州大学SOAR）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Electronic transport and device application of crystalline graphitic carbon nitride film

DOI：
10.1016/j.matlet.2020.128600
发表时间：
2020-12
期刊：
Materials Letters
影响因子：
3
作者：
Kensuke Takashima;N. Urakami;Y. Hashimoto
通讯作者：
Kensuke Takashima;N. Urakami;Y. Hashimoto

浦上法之(researchmap)

浦上纪之（研究地图）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

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通讯作者：
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