Band-gap energy control of graphitic carbon nitride for the creation of environment-friendly semiconductor material
石墨氮化碳的带隙能量控制用于创建环境友好的半导体材料
基本信息
- 批准号:19K15455
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Chemical Vapor Deposition of Boron‐Incorporated Graphitic Carbon Nitride Film for Carbon‐Based Wide Bandgap Semiconductor Materials
- DOI:10.1002/pssb.201900375
- 发表时间:2019-11
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:N. Urakami;Maito Kosaka;Y. Hashimoto
- 通讯作者:N. Urakami;Maito Kosaka;Y. Hashimoto
Chemical vapor deposition growth of boron incorporated graphitic carbon nitride film for carbon based semiconductor systems
用于碳基半导体系统的掺硼石墨氮化碳薄膜的化学气相沉积生长
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Urakami Noriyuki;Kosaka Maito;Hashimoto Yoshio
- 通讯作者:Hashimoto Yoshio
Electronic transport and device application of crystalline graphitic carbon nitride film
- DOI:10.1016/j.matlet.2020.128600
- 发表时间:2020-12
- 期刊:
- 影响因子:3
- 作者:Kensuke Takashima;N. Urakami;Y. Hashimoto
- 通讯作者:Kensuke Takashima;N. Urakami;Y. Hashimoto
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