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Band-gap energy control of graphitic carbon nitride for the creation of environment-friendly semiconductor material

Band-gap energy control of graphitic carbon nitride for the creation of environment-friendly semiconductor material
石墨氮化碳的带隙能量控制用于创建环境友好的半导体材料
批准号:
19K15455
负责人:
Urakami Noriyuki
金额:
$2.75万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2021-03-31

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期刊论文(7)
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会议论文
DOI: 10.1002/pssb.201900375
发表时间: 2019-11
期刊: physica status solidi (b)
影响因子: --
作者: [N. Urakami;Maito Kosaka;Y. Hashimoto]
通讯作者: N. Urakami;Maito Kosaka;Y. Hashimoto
Chemical vapor deposition growth of boron incorporated graphitic carbon nitride film for carbon based semiconductor systems
用于碳基半导体系统的掺硼石墨氮化碳薄膜的化学气相沉积生长
DOI: --
发表时间: 2019
期刊:
影响因子: --
作者: [Urakami Noriyuki, Kosaka Maito, Hashimoto Yoshio]
通讯作者: Hashimoto Yoshio
浦上法之(信州大学SOAR)
浦上纪之(信州大学SOAR)
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
DOI: 10.1016/j.matlet.2020.128600
发表时间: 2020-12
期刊: Materials Letters
影响因子: 3
作者: [Kensuke Takashima;N. Urakami;Y. Hashimoto]
通讯作者: Kensuke Takashima;N. Urakami;Y. Hashimoto
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