Band-gap energy control of graphitic carbon nitride for the creation of environment-friendly semiconductor material

石墨氮化碳的带隙能量控制用于创建环境友好的半导体材料

基本信息

  • 批准号:
    19K15455
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(7)
专著数量(0)
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专利数量(0)
Chemical Vapor Deposition of Boron‐Incorporated Graphitic Carbon Nitride Film for Carbon‐Based Wide Bandgap Semiconductor Materials
  • DOI:
    10.1002/pssb.201900375
  • 发表时间:
    2019-11
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    N. Urakami;Maito Kosaka;Y. Hashimoto
  • 通讯作者:
    N. Urakami;Maito Kosaka;Y. Hashimoto
Chemical vapor deposition growth of boron incorporated graphitic carbon nitride film for carbon based semiconductor systems
用于碳基半导体系统的掺硼石墨氮化碳薄膜的化学气相沉积生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Urakami Noriyuki;Kosaka Maito;Hashimoto Yoshio
  • 通讯作者:
    Hashimoto Yoshio
浦上法之(信州大学SOAR)
浦上纪之(信州大学SOAR)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Electronic transport and device application of crystalline graphitic carbon nitride film
  • DOI:
    10.1016/j.matlet.2020.128600
  • 发表时间:
    2020-12
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3
  • 作者:
    Kensuke Takashima;N. Urakami;Y. Hashimoto
  • 通讯作者:
    Kensuke Takashima;N. Urakami;Y. Hashimoto
グラファイト状窒化炭素のキャリア輸送特性
石墨氮化碳的载流子传输特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高島 健介;浦上 法之;橋本 佳男
  • 通讯作者:
    橋本 佳男
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  • 通讯作者:
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