Generation of high-purity gallium oxide semiconductor crystals by studying the formation mechanism of new source material species

研究新源材料物种的形成机制制备高纯氧化镓半导体晶体

• 批准号: 19K15457
• 负责人: Togashi Rie
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Sophia University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2022-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K15457/
• 关键词: 酸化ガリウム; 熱力学解析; 気相成長; エピタキシャル成長; 酸化ガリウム半導体結晶

项目成果

水素・窒素気流中におけるβ-Ga2O3(001)，(010)，(-201)基板の熱的・化学的安定性の検討

β-Ga2O3 (001)、(010)、(-201)基体在氢/氮流中的热稳定性和化学稳定性研究

• 发表时间: 2019
• 作者: 山野邉 咲子;後藤 健;村上 尚;山腰 茂伸;熊谷 義直
• 通讯作者: 熊谷 義直

水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるHVPE-In2O3成長層のエッチング特性評価

使用氢气氛各向异性热蚀刻（HEATE）方法评估 HVPE-In2O3 生长层的蚀刻特性

• 发表时间: 2019
• 作者: 富樫 理恵;笠羽 遼;大江 優輝;長井 研太;後藤 健;熊谷 義直;菊池 昭彦
• 通讯作者: 菊池 昭彦

Investigation of Thermal and Chemical Stabilities of (001), (010), and (-201) β-Ga2O3 substrates in a flow of either N2 or H2

研究 (001)、(010) 和 (-201) β-Ga2O3 基材在 N2 或 H2 流中的热稳定性和化学稳定性

• 发表时间: 2019
• 作者: R. Togashi;S. Yamanobe;K. Goto;H. Murakami;S. Yamakoshi;and Y. Kumagai
• 通讯作者: and Y. Kumagai

Investigation of etching characteristics of HVPE-grown In2O3 layers by hydrogen-environment anisotropic thermal etching

氢环境各向异性热刻蚀 HVPE 生长 In2O3 层的刻蚀特性研究

• 发表时间: 2019
• 作者: R. Kasaba;Y. Ooe;K. Nagai;K. Goto;R. Togashi;A. Kikuchi;and Y. Kumagai
• 通讯作者: and Y. Kumagai

β-Ga2O3(001), (010), (-201)基板の熱的・化学的安定性の面方位依存性

β-Ga2O3(001)、(010)、(-201) 衬底的热稳定性和化学稳定性的平面取向依赖性

• 发表时间: 2019
• 作者: 出高志朗;小林俊博;田中友晃;一ノ倉聖;清水亮太;一杉太郎;平原徹;富樫理恵，山野邉咲子，後藤健，村上尚，山腰茂伸，熊谷義直
• 通讯作者: 富樫理恵，山野邉咲子，後藤健，村上尚，山腰茂伸，熊谷義直