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Generation of high-purity gallium oxide semiconductor crystals by studying the formation mechanism of new source material species

Generation of high-purity gallium oxide semiconductor crystals by studying the formation mechanism of new source material species
研究新源材料物种的形成机制制备高纯氧化镓半导体晶体
批准号：
19K15457
负责人：
Togashi Rie
金额：
$2.66万
依托单位：
Sophia University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K15457/
关键词：
酸化ガリウム熱力学解析気相成長エピタキシャル成長酸化ガリウム半導体結晶

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