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Development of low bandgap n-type semiconductors based on A2-D-A1-D-A2 type molecular structure

基于A2-D-A1-D-A2型分子结构的低带隙n型半导体的开发

基本信息

批准号：
19K15650
负责人：
Mori Hiroki
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Okayama University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（4）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

新規複素多環芳香族骨格を基盤とした高分子半導体の開発

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DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
森裕樹

岡山大学理学部化学科機能有機化学研究室ホームページ

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DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Development of low bandgap n-type semiconductors based on a vinylene-bridged difluorobenzothiadiazole

基于亚乙烯基桥联二氟苯并噻二唑的低带隙n型半导体的开发

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
長谷川菜生;森裕樹;西原康師
通讯作者：
西原康師

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DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
長谷川菜生;森裕樹;西原康師
通讯作者：
西原康師

DOI：
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DOI：
发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
作者：
Hutami Islamy Rahma;Izawa Takashi;Iwasa Akihiko;Oka Akiko;Khurelochir Tsendsuren;Mori Hiroki;Tanaka Eiji
通讯作者：
Tanaka Eiji

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影响因子：
1.7
作者：
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作者：
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影响因子：
3
作者：
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DOI：
10.2152/jmi.65.292
发表时间：
2018
期刊：
The Journal of Medical Investigation
影响因子：
0
作者：
Sugimoto Mayumi;Ono Akemi;Yada Keigo;Mori Hiroki;Ishibashi Hiroki;Niki Noriko;Kagami Shoji
通讯作者：
Kagami Shoji