Development of Non-Equilibrium Processing of High Carrier Mobility Semiconductors on Insulator for High Speed Large Scale Integrated Circuits
Development of Non-Equilibrium Processing of High Carrier Mobility Semiconductors on Insulator for High Speed Large Scale Integrated Circuits
高速大规模集成电路绝缘体上高载流子迁移率半导体非平衡加工的研究进展
批准号：
19K21976
负责人：
Taizoh SADOH
金额：
$4.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-06-28 至 2022-03-31
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高Sn濃度SiSn薄膜/絶縁膜の低温固相成長特性の膜厚依存性
高Sn浓度SiSn薄膜/绝缘膜低温固相生长特性的膜厚依赖性
高Sn浓度SiSn薄膜/绝缘膜低温固相生长特性的膜厚依赖性
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岡本 紘汰, 小杉 智浩, 佐道 泰造]
通讯作者：
佐道 泰造
Bi誘起層交換成長法によるSiGe/絶縁膜基板の低温成長
Bi诱导层交换生长法低温生长SiGe/绝缘膜衬底
Bi诱导层交换生长法低温生长SiGe/绝缘膜衬底
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shuaifeng Hu, 大塚健斗, Richard Murdey, 中村智也, Minh Anh Truong, 山田琢允, 半田岳人, 松田和大, 中野恭兵, 佐藤睦, 丸本一弘, 伹馬敬介, 金光義彦, 若宮淳志, 永野貴弥，河原聡，劉森，佐道泰造]
通讯作者：
永野貴弥，河原聡，劉森，佐道泰造
High Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Thin-Films (~20 nm) on Insulator by Interface-Modulated Solid-Phase Crystallization
通过界面调制固相结晶在绝缘体上形成高载流子迁移率的 Sn 掺杂 Ge 薄膜 (~20 nm)
通过界面调制固相结晶在绝缘体上形成高载流子迁移率的 Sn 掺杂 Ge 薄膜 (~20 nm)
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Masanori Chiyozono, Xiangsheng Gong, Taizoh Sadoh]
通讯作者：
Taizoh Sadoh
Sn添加Ge極薄膜/絶縁基板の界面変調型固相成長に与えるa-Si キャップ効果
非晶硅帽效应对 Sn 掺杂 Ge 超薄膜/绝缘基底界面调制固相生长的影响
非晶硅帽效应对 Sn 掺杂 Ge 超薄膜/绝缘基底界面调制固相生长的影响
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[原 龍太郎, 千代薗 修典, 佐道 泰造]
通讯作者：
佐道 泰造
非晶質シリコン層挿入によるスズ添加ゲルマニウム薄膜の特性向上
通过插入非晶硅层改善锡掺杂锗薄膜的性能
通过插入非晶硅层改善锡掺杂锗薄膜的性能
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[公 祥生, 徐 暢, 佐道 泰造]
通讯作者：
佐道 泰造
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