Clarification of dislocation reduction mechanism and exploring the limit in fast SiC bulk growth by high-temperature CVD

阐明位错还原机制并探索高温CVD快速生长SiC的极限

• 批准号: 20H00356
• 负责人: Tsuchida Hidekazu
• 金额: $ 21.47万
• 依托单位: Central Research Institute of Electric Power Industry
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H00356/
• 关键词: 炭化珪素; 結晶成長; 転位; 熱応力; X線トポグラフィ; 転位動力学; SiC; 高温CVD法; 応力; 4H-SiC

项目成果

Investigation of propagation and coalescence of threading screw and mixed dislocations in 4H-SiC crystals grown by the high-temperature gas source method

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.126676
• 发表时间: 2022-05-02
• 期刊: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
• 影响因子: 1.8
• 作者: Kamata, Isaho;Hoshino, Norihiro;Tsuchida, Hidekazu
• 通讯作者: Tsuchida, Hidekazu

4H-SiC結晶における貫通刃状転位の上昇運動を考慮した転位動力学シミュレーション

考虑 4H-SiC 晶体中穿透刃位错上升运动的位错动力学模拟

• 发表时间: 2022
• 作者: 別役潔;星乃紀博;鎌田功穂;神田貴裕;土田秀一
• 通讯作者: 土田秀一

電力中央研究所研究者紹介（土田秀一）

电力工业中央研究所研究员介绍（土田英一）

4H-SiCにおける貫通刃状転位間の相互作用

4H-SiC 中螺纹刃位错之间的相互作用

• 发表时间: 2021
• 作者: 別役潔;星乃紀博;鎌田功穂;神田貴裕;土田秀一
• 通讯作者: 土田秀一

Reduction in dislocation densities in 4H-SiC bulk crystal grown at high growth rate by high-temperature gas-source method

高温气源法高生长速率的 4H-SiC 块晶中位错密度的降低

• DOI: 10.35848/1882-0786/abace0
• 发表时间: 2020
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: Hoshino Norihiro;Kamata Isaho;Kanda Takahiro;Tokuda Yuichiro;Kuno Hironari;Tsuchida Hidekazu
• 通讯作者: Tsuchida Hidekazu