Quantum state control with advanced optical technique for spin defects in silicon carbide
Quantum state control with advanced optical technique for spin defects in silicon carbide
利用先进光学技术控制碳化硅自旋缺陷的量子态
批准号：
20H00355
负责人：
Ohshima Takeshi
金额：
$29.29万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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炭化ケイ素中の量子欠陥形成と量子特性評価
碳化硅中的量子缺陷形成和量子表征
碳化硅中的量子缺陷形成和量子表征
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kageyama Hiroyuki, Szidarovszky Tamas, Ando Toshiaki, Iwasaki Atsushi, Csaszar Attila G., Yamanouchi Kaoru, 大島武]
通讯作者：
大島武
固体中スピン欠陥を活用した量子センシング
利用固体中自旋缺陷的量子传感
利用固体中自旋缺陷的量子传感
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takeshi Yamamoto, Takuya Takahashi, Ryo Murakami, Naoto Ariki, Michinori Suginome, Masaaki Fujii, 大島武]
通讯作者：
大島武
電子線照射によって形成した4H-SiC中シリコン空孔の濃度定量
电子束辐照形成的 4H-SiC 中硅空位浓度的测定
电子束辐照形成的 4H-SiC 中硅空位浓度的测定
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[元木秀, 佐藤真一郎, 佐伯誠一, 増山雄太, 山﨑雄一, 土方泰斗, 大島武]
通讯作者：
大島武
炭化ケイ素中への単一光子源・スピン欠陥の形成と量子科学技術への応用
碳化硅中单光子源/自旋缺陷的形成及其在量子科学技术中的应用
碳化硅中单光子源/自旋缺陷的形成及其在量子科学技术中的应用
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大島武]
通讯作者：
大島武
Impact of formation process on the radiation properties of single-photon sources generated on SiC crystal surfaces
形成工艺对SiC晶体表面产生的单光子源辐射特性的影响
形成工艺对SiC晶体表面产生的单光子源辐射特性的影响
DOI：
10.1063/5.0048772
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[Hijikata Yasuto, Komori Shota, Otojima Shunsuke, Matsushita Yu-Ichiro, Ohshima Takeshi]
通讯作者：
Ohshima Takeshi
共 37 条
Quantum state measurements of single photon sources in silicon carbide devices
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批准号：17H01056
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$28.12万
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财政年份：2017
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负责人：Ohshima Takeshi
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依托单位：