Quantum state control with advanced optical technique for spin defects in silicon carbide

利用先进光学技术控制碳化硅自旋缺陷的量子态

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炭化ケイ素中の量子欠陥形成と量子特性評価
碳化硅中的量子缺陷形成和量子表征
  • DOI：
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kageyama Hiroyuki;Szidarovszky Tamas;Ando Toshiaki;Iwasaki Atsushi;Csaszar Attila G.;Yamanouchi Kaoru;大島武
  • 通讯作者：
    大島武
固体中スピン欠陥を活用した量子センシング
利用固体中自旋缺陷的量子传感
  • DOI：
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takeshi Yamamoto;Takuya Takahashi;Ryo Murakami;Naoto Ariki;Michinori Suginome;Masaaki Fujii;大島武
  • 通讯作者：
    大島武
電子線照射によって形成した4H-SiC中シリコン空孔の濃度定量
电子束辐照形成的 4H-SiC 中硅空位浓度的测定
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    元木秀;佐藤真一郎;佐伯誠一;増山雄太;山﨑雄一;土方泰斗;大島武
  • 通讯作者：
    大島武
炭化ケイ素中への単一光子源・スピン欠陥の形成と量子科学技術への応用
碳化硅中单光子源/自旋缺陷的形成及其在量子科学技术中的应用
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    大島武
  • 通讯作者：
    大島武
Impact of formation process on the radiation properties of single-photon sources generated on SiC crystal surfaces
形成工艺对SiC晶体表面产生的单光子源辐射特性的影响
  • DOI：
    10.1063/5.0048772
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Hijikata Yasuto;Komori Shota;Otojima Shunsuke;Matsushita Yu-Ichiro;Ohshima Takeshi
  • 通讯作者：
    Ohshima Takeshi
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Ohshima Takeshi其他文献

日本で近隣は学業達成に影響を与えるか―統計的因果推論による検証
使用统计因果推理验证邻里关系是否影响学业成绩？
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Abe Yuta;Chaen Akihumi;Sometani Mitsuru;Harada Shinsuke;Yamazaki Yuichi;Ohshima Takeshi;Umeda Takahide;渡邉萌;大和冬樹
  • 通讯作者：
    大和冬樹
Photoluminescence properties of praseodymium ions implanted into submicron regions in gallium nitride
氮化镓亚微米区域镨离子注入的光致发光特性
  • DOI：
    10.7567/1347-4065/ab142b
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Sato Shin-ichiro;Deki Manato;Nakamura Tohru;Nishimura Tomoaki;Stavrevski Daniel;Greentree Andrew D.;Gibson Brant C.;Ohshima Takeshi
  • 通讯作者：
    Ohshima Takeshi
Structural analysis of high-energy implanted Ni atoms into Si(100) by X-ray absorption fine structure spectroscopy
X射线吸收精细结构光谱法对Si(100)中高能注入Ni原子的结构分析
  • DOI：
    10.1016/j.radphyschem.2022.110369
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Radiation Physics and Chemistry
  • 影响因子：
    2.9
  • 作者：
    Entani Shiro;Sato Shin-ichiro;Honda Mitsunori;Suzuki Chihiro;Taguchi Tomitsugu;Yamamoto Shunya;Ohshima Takeshi
  • 通讯作者：
    Ohshima Takeshi
公的統計ミクロデータ生成過程の現状と課題
官方统计微观数据生成过程的现状和挑战
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    So Frederick T.-K.;Shames Alexander I.;Terada Daiki;Genjo Takuya;Morishita Hiroki;Ohki Izuru;Ohshima Takeshi;Onoda Shinobu;Takashima Hideaki;Takeuchi Shigeki;Mizuochi Norikazu;Igarashi Ryuji;Shirakawa Masahiro;Segawa Takuya F.;T. Funaki;千野雅人
  • 通讯作者：
    千野雅人
Evaluation of Damage Coefficient for Minority-Carrier Diffusion Length of Triple-Cation Perovskite Solar Cells under 1 MeV Electron Irradiation for Space Applications
空间应用1 MeV电子辐照下三阳离子钙钛矿太阳能电池少数载流子扩散长度损伤系数评估
  • DOI：
    10.1021/acs.jpcc.1c01590
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    The Journal of Physical Chemistry C
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Miyazawa Yu;Kim Gyu Min;Ishii Ayumi;Ikegami Masashi;Miyasaka Tsutomu;Suzuki Yudai;Yamamoto Tomoyuki;Ohshima Takeshi;Kanaya Shusaku;Toyota Hiroyuki;Hirose Kazuyuki
  • 通讯作者：
    Hirose Kazuyuki

Ohshima Takeshi的其他文献

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  • DOI：
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  • 发表时间：
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  • 期刊：
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  • 影响因子：
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  • 作者：
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  • 通讯作者：
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Quantum state measurements of single photon sources in silicon carbide devices
碳化硅器件中单光子源的量子态测量
  • 批准号：
    17H01056
  • 财政年份：
    2017
  • 资助金额：
    $ 29.29万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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作者：{{ showInfoDetail.author }}

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