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Quantum state measurements of single photon sources in silicon carbide devices

碳化硅器件中单光子源的量子态测量

基本信息

批准号：
17H01056
负责人：
Ohshima Takeshi
金额：
$ 28.12万
依托单位：
National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（86）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Oxidation-Process Dependence of Single Photon Sources Embedded in 4H-SiC MOSFETs

嵌入 4H-SiC MOSFET 中的单光子源的氧化过程依赖性

DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.924.281
发表时间：
2018
期刊：
Mater. Sci. Forum
影响因子：
0
作者：
Y. Abe;T. Umeda;M. Okamoto;S. Onoda;M. Haruyama;W. Kada;O. Hanaizumi;R. Kosugi;S. Harada;T. Ohshima
通讯作者：
T. Ohshima

Position-Selective Silicon Vacancy Formation in Silicon Carbide Devices using Proton Beam Writing

使用质子束写入在碳化硅器件中选择性形成硅空位

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Ohshima;Y. Yamazaki;Y. Chiba;Y. Hijikata;K. Kojima;S.-Y. Lee;W. Kada
通讯作者：
W. Kada

SiC デバイス内に作製したシリコン空孔の光・電気同時励起時における光学特性

同时光学和电激发过程中 SiC 器件中产生的硅空位的光学特性

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
山﨑雄一;千葉陽史;佐藤真一郎;牧野高紘;山田尚人;佐藤隆博;土方泰斗;児嶋一聡;土田秀一;星乃紀博;大島武
通讯作者：
大島武

Near Infrared Photoluminescence in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Irradiated with Energetic Charged Particles

带电粒子辐照高纯半绝缘 4H-SiC 的近红外光致发光

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
S.-i. Sato;T. Narahara;S. Onoda;Y. Yamazaki;Y. Hijikata;B. C. Gibson;A. D. Greentree;T. Ohshima
通讯作者：
T. Ohshima

Bright single photon sources in lateral silicon carbide light emitting diodes

DOI：
10.1063/1.5032291
发表时间：
2018-06
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
M. Widmann;Matthias Niethammer;T. Makino;T. Rendler;S. Lasse;T. Ohshima;J. Ul Hassan;Nguyen Tien Son;Sang-Yun Lee;J. Wrachtrup
通讯作者：
M. Widmann;Matthias Niethammer;T. Makino;T. Rendler;S. Lasse;T. Ohshima;J. Ul Hassan;Nguyen Tien Son;Sang-Yun Lee;J. Wrachtrup

DOI：
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作者：
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Ohshima Takeshi其他文献

Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultaneous optically and electrically excitations

同时光电激发下 SiC 硅空位的载流子动力学

DOI：
10.1063/5.0028318
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Yamazaki Yuichi;Chiba Yoji;Sato Shin-ichiro;Makino Takahiro;Yamada Naoto;Satoh Takahiro;Kojima Kazutoshi;Hijikata Yasuto;Tsuchida Hidekazu;Hoshino Norihiro;Lee Sang-Yun;Ohshima Takeshi
通讯作者：
Ohshima Takeshi

Photoluminescence properties of praseodymium ions implanted into submicron regions in gallium nitride

氮化镓亚微米区域镨离子注入的光致发光特性

DOI：
10.7567/1347-4065/ab142b
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Sato Shin-ichiro;Deki Manato;Nakamura Tohru;Nishimura Tomoaki;Stavrevski Daniel;Greentree Andrew D.;Gibson Brant C.;Ohshima Takeshi
通讯作者：
Ohshima Takeshi

日本で近隣は学業達成に影響を与えるか―統計的因果推論による検証

使用统计因果推理验证邻里关系是否影响学业成绩？

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Abe Yuta;Chaen Akihumi;Sometani Mitsuru;Harada Shinsuke;Yamazaki Yuichi;Ohshima Takeshi;Umeda Takahide;渡邉萌;大和冬樹
通讯作者：
大和冬樹

Structural analysis of high-energy implanted Ni atoms into Si(100) by X-ray absorption fine structure spectroscopy

X射线吸收精细结构光谱法对Si(100)中高能注入Ni原子的结构分析

DOI：
10.1016/j.radphyschem.2022.110369
发表时间：
2022
期刊：
Radiation Physics and Chemistry
影响因子：
2.9
作者：
Entani Shiro;Sato Shin-ichiro;Honda Mitsunori;Suzuki Chihiro;Taguchi Tomitsugu;Yamamoto Shunya;Ohshima Takeshi
通讯作者：
Ohshima Takeshi

公的統計ミクロデータ生成過程の現状と課題

官方统计微观数据生成过程的现状和挑战

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
So Frederick T.-K.;Shames Alexander I.;Terada Daiki;Genjo Takuya;Morishita Hiroki;Ohki Izuru;Ohshima Takeshi;Onoda Shinobu;Takashima Hideaki;Takeuchi Shigeki;Mizuochi Norikazu;Igarashi Ryuji;Shirakawa Masahiro;Segawa Takuya F.;T. Funaki;千野雅人
通讯作者：
千野雅人