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Quantum state measurements of single photon sources in silicon carbide devices

Quantum state measurements of single photon sources in silicon carbide devices
碳化硅器件中单光子源的量子态测量
批准号：
17H01056
负责人：
Ohshima Takeshi
金额：
$28.12万
依托单位：
National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-17H01056/
关键词：
量子センシング結晶工学格子欠陥半導体物性光物性放射線量子エレクトロニクス

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Position-Selective Silicon Vacancy Formation in Silicon Carbide Devices using Proton Beam Writing
使用质子束写入在碳化硅器件中选择性形成硅空位
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Ohshima, Y. Yamazaki, Y. Chiba, Y. Hijikata, K. Kojima, S.-Y. Lee, W. Kada]
通讯作者： W. Kada
SiC デバイス内に作製したシリコン空孔の光・電気同時励起時における光学特性
同时光学和电激发过程中 SiC 器件中产生的硅空位的光学特性
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [山﨑 雄一, 千葉 陽史, 佐藤 真一郎, 牧野 高紘, 山田 尚人, 佐藤 隆博, 土方 泰斗, 児嶋 一聡, 土田 秀一, 星乃 紀博, 大島 武]
通讯作者： 大島 武
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DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [S.-i. Sato, T. Narahara, S. Onoda, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, B. C. Gibson, A. D. Greentree, T. Ohshima]
通讯作者： T. Ohshima
Oxidation-Process Dependence of Single Photon Sources Embedded in 4H-SiC MOSFETs
嵌入 4H-SiC MOSFET 中的单光子源的氧化过程依赖性
DOI： 10.4028/www.scientific.net/msf.924.281
发表时间： 2018
期刊： Mater. Sci. Forum
影响因子： --
作者： [Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, S. Onoda, M. Haruyama, W. Kada, O. Hanaizumi, R. Kosugi, S. Harada, T. Ohshima]
通讯作者： T. Ohshima
共 72 条
    Quantum state control with advanced optical technique for spin defects in silicon carbide
    海外基金