Application of Power Semiconductor to Direct-Current Interruption and Evaluaation of Current Interruption Performance

功率半导体在直流中断中的应用及电流中断性能评估

• 批准号: 20H02130
• 负责人: Yokomizu Yasunobu
• 金额: $ 9.07万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02130/
• 关键词: 直流遮断; パワー半導体素子; 限流; DC給配電システム; 電流遮断; パワー半導体; 半導体デバイス

项目成果

大電流型SiC-MOSFET を用いた低圧直流モデル遮断器による電流遮断時間の測定

使用大电流型 SiC-MOSFET 的低压 DC 型断路器测量电流中断时间

• 发表时间: 2021
• 作者: 石塚師也;辻 健;林 為人;利部 慎;嶋田 純;渡邉幹太，横水康伸，兒玉直人
• 通讯作者: 渡邉幹太，横水康伸，兒玉直人

SiC-MOSFETを用いた低圧直流大電流遮断プロセスにおける過渡電圧・接合部温度の評価

使用SiC-MOSFET评估低压直流大电流中断过程中的瞬态电压和结温

• 发表时间: 2020
• 作者: Wang Daohong;Wu Ting;Huang Haitao;Yang Junchen;Yamamoto Kazuo;二宮 啓，池田達紀，辻 健;渡邉幹太，横水康伸，小椋陽介，小川拓真
• 通讯作者: 渡邉幹太，横水康伸，小椋陽介，小川拓真

低電圧DC遮断へのワイドギャップ半導体の適用：電流遮断とジャンクション温度

宽禁带半导体在低压直流中断中的应用：电流中断与结温

• 发表时间: 2020
• 作者: Zeyu Wu;Kohei Higashikawa;Kazutaka Imamura;Takanobu Kiss;横水康伸
• 通讯作者: 横水康伸

SiC-MOSFET素子を用いた低電圧DC遮断 ー減衰振動性電流の生成による限流とその基礎検討ー

使用SiC-MOSFET元件的低压直流中断 - 通过产生阻尼振荡电流进行电流限制及其基础研究 -

• 发表时间: 2023
• 作者: 櫻井大樹;大野友幹;芳賀仁;長谷川海渡，横水康伸，兒玉直人，渡邉幹太
• 通讯作者: 長谷川海渡，横水康伸，兒玉直人，渡邉幹太

SiC-MOSFETによる低圧直流大電流遮断過程と限流部端子間電圧・遮断部接合部温度上昇の評価

使用SiC-MOSFET评估低压直流大电流中断过程以及限流器端电压和中断结温升

• 发表时间: 2021
• 作者: H. Date;T. Fujii;T. Inoue;E. I. Kauppinen;S. Maruyama;S. Chiashi,;渡邉幹太，横水康伸，小椋陽介，小川拓真
• 通讯作者: 渡邉幹太，横水康伸，小椋陽介，小川拓真