Application of Power Semiconductor to Direct-Current Interruption and Evaluaation of Current Interruption Performance
Application of Power Semiconductor to Direct-Current Interruption and Evaluaation of Current Interruption Performance
功率半导体在直流中断中的应用及电流中断性能评估
批准号：
20H02130
负责人：
Yokomizu Yasunobu
金额：
$9.07万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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大電流型SiC-MOSFET を用いた低圧直流モデル遮断器による電流遮断時間の測定
使用大电流型 SiC-MOSFET 的低压 DC 型断路器测量电流中断时间
使用大电流型 SiC-MOSFET 的低压 DC 型断路器测量电流中断时间
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[石塚師也, 辻 健, 林 為人, 利部 慎, 嶋田 純, 渡邉幹太，横水康伸，兒玉直人]
通讯作者：
渡邉幹太，横水康伸，兒玉直人
SiC-MOSFETを用いた低圧直流大電流遮断プロセスにおける過渡電圧・接合部温度の評価
使用SiC-MOSFET评估低压直流大电流中断过程中的瞬态电压和结温
使用SiC-MOSFET评估低压直流大电流中断过程中的瞬态电压和结温
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Wang Daohong, Wu Ting, Huang Haitao, Yang Junchen, Yamamoto Kazuo, 二宮 啓，池田達紀，辻 健, 渡邉幹太，横水康伸，小椋陽介，小川拓真]
通讯作者：
渡邉幹太，横水康伸，小椋陽介，小川拓真
低電圧DC遮断へのワイドギャップ半導体の適用：電流遮断とジャンクション温度
宽禁带半导体在低压直流中断中的应用：电流中断与结温
宽禁带半导体在低压直流中断中的应用：电流中断与结温
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Zeyu Wu, Kohei Higashikawa, Kazutaka Imamura, Takanobu Kiss, 横水康伸]
通讯作者：
横水康伸
SiC-MOSFET素子を用いた低電圧DC遮断 ー減衰振動性電流の生成による限流とその基礎検討ー
使用SiC-MOSFET元件的低压直流中断 - 通过产生阻尼振荡电流进行电流限制及其基础研究 -
使用SiC-MOSFET元件的低压直流中断 - 通过产生阻尼振荡电流进行电流限制及其基础研究 -
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[櫻井大樹, 大野友幹, 芳賀仁, 長谷川海渡，横水康伸，兒玉直人，渡邉幹太]
通讯作者：
長谷川海渡，横水康伸，兒玉直人，渡邉幹太
SiC-MOSFETによる低圧直流大電流遮断過程と限流部端子間電圧・遮断部接合部温度上昇の評価
使用SiC-MOSFET评估低压直流大电流中断过程以及限流器端电压和中断结温升
使用SiC-MOSFET评估低压直流大电流中断过程以及限流器端电压和中断结温升
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Date, T. Fujii, T. Inoue, E. I. Kauppinen, S. Maruyama, S. Chiashi,, 渡邉幹太，横水康伸，小椋陽介，小川拓真]
通讯作者：
渡邉幹太，横水康伸，小椋陽介，小川拓真
共 10 条
Low-Voltage DC Circuit Breaker Constructed of Power Semi-Conductor: Toward High Current Breaking Ability
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批准号：26420229
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.16万
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财政年份：2014
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负责人：Yokomizu Yasunobu
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依托单位：