Low-Voltage DC Circuit Breaker Constructed of Power Semi-Conductor: Toward High Current Breaking Ability

功率半导体低压直流断路器：向高电流分断能力迈进

• 批准号: 26420229
• 负责人: Yokomizu Yasunobu
• 金额: $ 3.16万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26420229/
• 关键词: 大電流; 直流; 遮断器; 限流遮断; パワー半導体; 直流遮断; パワー半導体素子; 限流

项目成果

SiC-MOSFET を利用した直流モデル遮断器に関する基礎検討

使用SiC-MOSFET的直流模型断路器的基础研究

• 发表时间: 2015
• 作者: S. Sato;S. Nishimura and H. Shimizu;村田 健二朗,荻野 明久,森岡 直也,木村 裕治;横水 康伸，大橋 亮介，松村 年郎
• 通讯作者: 横水 康伸，大橋 亮介，松村 年郎

Rush-Current Breaking Properties of IGBT-Type DC Model Circuit Breaker with Different Time Constants of Gate-Emitter Voltage

不同门极电压时间常数的IGBT型直流模型断路器的冲击电流开断特性

• 发表时间: 2015
• 作者: Y. Yokomizu;R. Ohashi and T. Matsumura.
• 通讯作者: R. Ohashi and T. Matsumura.

低圧直流システムへの限流器導入による電流抑制効果と遮断器電圧に関する検討

低压直流系统引入限流器的电流抑制效果与断路器电压研究

• 发表时间: 2015
• 作者: 宮川晴希;関川純哉;満吉悠太，石橋伸悟，鳥井昭宏，道木加絵;難波晃平，大橋亮介，横水康伸，松村年郎
• 通讯作者: 難波晃平，大橋亮介，横水康伸，松村年郎

IGBT型直流用モデル遮断器の突入電流遮断限界とその要因考察

IGBT型直流模型断路器励磁涌流开断极限及其影响因素的考虑

• 发表时间: 2016
• 作者: Yasushi Minamitani;Yuta Kobayashi;Riku Kageyama;Kenji.Tamura;横水康伸，大橋亮介，玉尾一真，松村年郎．
• 通讯作者: 横水康伸，大橋亮介，玉尾一真，松村年郎．

電気接点併用IGBT型直流モデル遮断器における定常電流通電および突入電流遮断の特性

IGBT型电触头直流型断路器稳流导通和涌流开断特性

• 发表时间: 2015
• 作者: Yoshifumi Okamoto;Reona Hoshino;and Shinji Wakao;横水 康伸，大橋 亮介，松村 年郎
• 通讯作者: 横水 康伸，大橋 亮介，松村 年郎