Spin-dependent electron transport through Si-based magnetic tunnel junctions

通过硅基磁隧道结的自旋相关电子传输

• 批准号: 20H02199
• 负责人: Nakane Ryosho
• 金额: $ 11.32万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02199/
• 关键词: 電子デバイス; 電子スピン伝導物理; スピントロニクス; 半導体スピントロニクス; シリコンデバイス

项目成果

Siへのスピン注入におけるトンネルスピン分極率の温度依存性の解析

自旋注入硅过程中隧道自旋极化率的温度依赖性分析

• 发表时间: 2020
• 作者: 岡本祥太;佐藤彰一;田中 雅明;中根了昌
• 通讯作者: 中根了昌

Electron spin polarization in a n+-Si channel: Analysis with the band diagram in ferromagnetic Fe/Mg/amorphous-MgO/SiO X /n+-Si(001) tunnel junctions

n -Si 通道中的电子自旋极化：铁磁 Fe/Mg/非晶 MgO/SiO X /n -Si(001) 隧道结中的能带图分析

• 发表时间: 2022
• 作者: Baisen Yu;Shoichi Sato;Masaaki Tanaka and Ryosho Nakane
• 通讯作者: Masaaki Tanaka and Ryosho Nakane

Effect of forming gas annealing on the enhancement of the electron spin lifetime in the inversion channel of Si-based spin MOSFETs

形成气体退火对硅基自旋MOSFET反型沟道电子自旋寿命增强的影响

• 发表时间: 2020
• 作者: S. Sato;S. Okamoto;M. Tanaka;and R. Nakane
• 通讯作者: and R. Nakane

Electron Spin Transport in a Metal-Oxide-Semiconductor Si Two-Dimensional Inversion Channel: Effect of Hydrogen Annealing on Spin-Scattering Mechanism and Spin Lifetime

金属氧化物半导体硅二维反转通道中的电子自旋输运：氢退火对自旋散射机制和自旋寿命的影响

• DOI: 10.1103/physrevapplied.18.064071
• 发表时间: 2022
• 期刊: Physical Review Applied
• 影响因子: 4.6
• 作者: Shoichi Sato;Masaaki Tanaka;and Ryosho Nakane
• 通讯作者: and Ryosho Nakane

Spin polarization and magnetoresistance in a back-gated spin MOSFET structure with Fe/Mg/MgO/SiOx/n+-Si junctions

具有 Fe/Mg/MgO/SiOx/n -Si 结的背栅自旋 MOSFET 结构中的自旋极化和磁阻

• 发表时间: 2023
• 作者: Shoichi Sato;Masaaki Tanaka and Ryosho Nakane
• 通讯作者: Masaaki Tanaka and Ryosho Nakane