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Spin-dependent electron transport through Si-based magnetic tunnel junctions

Spin-dependent electron transport through Si-based magnetic tunnel junctions
通过硅基磁隧道结的自旋相关电子传输
批准号：
20H02199
负责人：
Nakane Ryosho
金额：
$11.32万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02199/
关键词：
電子デバイス電子スピン伝導物理スピントロニクス半導体スピントロニクスシリコンデバイス

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Siへのスピン注入におけるトンネルスピン分極率の温度依存性の解析
自旋注入硅过程中隧道自旋极化率的温度依赖性分析
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [岡本祥太, 佐藤彰一, 田中 雅明, 中根了昌]
通讯作者： 中根了昌
Electron spin polarization in a n+-Si channel: Analysis with the band diagram in ferromagnetic Fe/Mg/amorphous-MgO/SiO X /n+-Si(001) tunnel junctions
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DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [Baisen Yu, Shoichi Sato, Masaaki Tanaka and Ryosho Nakane]
通讯作者： Masaaki Tanaka and Ryosho Nakane
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DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [S. Sato, S. Okamoto, M. Tanaka, and R. Nakane]
通讯作者： and R. Nakane
Electron Spin Transport in a Metal-Oxide-Semiconductor Si Two-Dimensional Inversion Channel: Effect of Hydrogen Annealing on Spin-Scattering Mechanism and Spin Lifetime
金属氧化物半导体硅二维反转通道中的电子自旋输运：氢退火对自旋散射机制和自旋寿命的影响
DOI： 10.1103/physrevapplied.18.064071
发表时间： 2022
期刊： Physical Review Applied
影响因子： 4.6
作者： [Shoichi Sato, Masaaki Tanaka, and Ryosho Nakane]
通讯作者： and Ryosho Nakane
共 11 条
    Fabrication of epitaxial Ferrite thin films on Si substrates and their application to spintronic devices
    • 批准号：
      26289086
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.65万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      Nakane Ryosho
    • 依托单位：
      The University of Tokyo