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Highly Efficient Semiconductor Membrane Lasers toward Drastic Reduction of Data Transmission Energy Cost

Highly Efficient Semiconductor Membrane Lasers toward Drastic Reduction of Data Transmission Energy Cost
高效半导体膜激光器可大幅降低数据传输能源成本
批准号：
20H02200
负责人：
Nishiyama Nobuhiko
金额：
$11.4万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02200/
关键词：
半導体レーザ接合半導体薄膜オンチップ光配線

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埋脊波导结构硅侧向约束增强薄膜激光器
DOI： 10.1364/josab.438329
发表时间： 2021
期刊： Journal of Optical Society of America B
影响因子： --
作者： [N. Takahashi, W. Fang, Y. Ohiso, T. Amemiya, N. Nishiyama]
通讯作者： N. Nishiyama
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DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
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发表时间： 2022
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影响因子： --
作者： [高橋 直樹, Fang Weicheng, 岡田 祥, 大礒 義孝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦]
通讯作者： 西山 伸彦
ハイブリッド光集積回路のこれまでとこれから
混合光集成电路的过去与未来
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [西山 伸彦, 雨宮 智宏]
通讯作者： 雨宮 智宏
共 22 条
    Investigation of novel methods of controlling output power with stable wavelength operation and modulation bandwidth enhancement by long-wavelength transistor lasers
    • 批准号：
      17H03247
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.32万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Nishiyama Nobuhiko
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    国内基金
    海外基金
    Sn掺杂与Lys功能化协同调控Pd电子结构强化H₂O₂直接合成研究
    • 批准号：
      2026JJ80507
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      李江胜
    • 依托单位：
      长沙理工大学
    PilQ氨基酸突变驱动IncI2质粒接合转移 的分子机制
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      10.0万元
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      李龚
    • 依托单位：
      华南农业大学
    甲萘醌抑制耐药质粒接合转移的机制研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      15.0万元
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      刘艺云
    • 依托单位：
      华南农业大学
    TfoX通路在哈维弧菌通过接合转移获取外源质粒中的调控作用