Investigation of novel methods of controlling output power with stable wavelength operation and modulation bandwidth enhancement by long-wavelength transistor lasers

研究长波长晶体管激光器稳定波长运行和增强调制带宽控制输出功率的新方法

基本信息

  • 批准号:
    17H03247
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.32万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
GRIN-SCH構造を有する1.3 um帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの静特性
GRIN-SCH结构1.3 um波段npn-AlGaInAs/InP晶体管激光器的静态特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    吉冨 翔一;山中 健太郎;後藤 優征;藤本 直;西山 伸彦;荒井 滋久
  • 通讯作者:
    荒井 滋久
N2-Plasma Activated Bonding for GaInAsP/SOI Hybrid Lasers
用于 GaInAsP/SOI 混合激光器的 N2 等离子体激活键合
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Martinez-Calderon;C.;K. Shiokawa ;Y. Miyoshi ;K. Keika ;M. Ozaki ;I. Schofield ;M. Connors ;C. Kletzing ;M. Hanzelka ;O. Santolik ;and W. Kurth;K. Akiyoshi;Nobuhiko Nishiyama
  • 通讯作者:
    Nobuhiko Nishiyama
Current States of Hybrid III-V Lasers on Si and SOI substrate
Si 和 SOI 衬底上混合 III-V 激光器的现状
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tsurutani;B. T.;R. Hajra;T. Tanimori;A. Takada;B. Remya;A. J. Mannucci;G. S. Lakhina;J. U. Kozyra;K. Shiokawa;L. C. Lee;E. Echer;R. V. Reddy;and W. D. Gonzalez;Nobuhiko Nishiyama
  • 通讯作者:
    Nobuhiko Nishiyama
High Efficiency Operation of Membrane Distributed-Reflector Lasers on Silicon Substrate
硅衬底上膜分布反射器激光器的高效运行
  • DOI:
    10.1109/jstqe.2017.2704289
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.9
  • 作者:
    Takuo Hiratani;Daisuke Inoue;Takahiro Tomiyasu;Kai Fukuda;Tomohiro Amemiya;Nobuhiko Nishiyama;Shigehisa Arai
  • 通讯作者:
    Shigehisa Arai
光アンテナを用いた赤外屈折率測定法: 原理と理論
使用光学天线进行红外折射率测量:原理和理论
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y.Ono;M.Hori;G.P.Lansbergen;A.Fujiwara;各務 響
  • 通讯作者:
    各務 響
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Nishiyama Nobuhiko其他文献

導波路型光アイソレータの開発と集積化に向けた検討
波导型光隔离器的开发与集成
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Murai Toshiya;Shoji Yuya;Nishiyama Nobuhiko;Mizumoto Tetsuya;Yuya Shoji;Yuki Hara;Shun Yajima;Shun Yajima;庄司 雄哉
  • 通讯作者:
    庄司 雄哉
Proposal of Phased Array Type 1 × N Wavelength Selective Switch by Silicon Photonics
硅光子提出相控阵型1×N波长选择开关
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Murai Toshiya;Shoji Yuya;Nishiyama Nobuhiko;Mizumoto Tetsuya;Yuya Shoji;Yuki Hara;Shun Yajima;Shun Yajima;庄司 雄哉;矢島 駿;Shuyuan Liu;庄司 雄哉;谷口 翔平;Yuya Shoji;Zhu Liang;Yisheng Ni;庄司 雄哉;矢島 駿;峰村 大輝;Toshiya Murai;Daiki Minemura;Shuyuan Liu;Shun Yajima;Yuki Hara
  • 通讯作者:
    Yuki Hara
全光ラベル処理用リング共振器型シリアルパラレル変換器
用于全光标签处理的环形谐振器型串并转换器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Murai Toshiya;Shoji Yuya;Nishiyama Nobuhiko;Mizumoto Tetsuya;Yuya Shoji;Yuki Hara;Shun Yajima;Shun Yajima;庄司 雄哉;矢島 駿;Shuyuan Liu;庄司 雄哉;谷口 翔平;Yuya Shoji;Zhu Liang;Yisheng Ni;庄司 雄哉;矢島 駿;峰村 大輝;Toshiya Murai;Daiki Minemura;Shuyuan Liu;Shun Yajima;Yuki Hara;谷口翔平;丹下湧斗;村井俊哉;Shuyuan Liu;峰村大輝;ラネプラヒュウェッジネランジト
  • 通讯作者:
    ラネプラヒュウェッジネランジト
光パルスの遅延時間を用いた集積可能な巡回セールスマン問題ソルバー
使用光脉冲延迟时间的可积旅行商问题求解器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Murai Toshiya;Shoji Yuya;Nishiyama Nobuhiko;Mizumoto Tetsuya;Yuya Shoji;Yuki Hara;Shun Yajima;Shun Yajima;庄司 雄哉;矢島 駿;Shuyuan Liu;庄司 雄哉;谷口 翔平;Yuya Shoji;Zhu Liang;Yisheng Ni;庄司 雄哉;矢島 駿;峰村 大輝;Toshiya Murai;Daiki Minemura;Shuyuan Liu;Shun Yajima;Yuki Hara;谷口翔平;丹下湧斗;村井俊哉;Shuyuan Liu;峰村大輝;ラネプラヒュウェッジネランジト;矢島駿
  • 通讯作者:
    矢島駿
Silicon Waveguide Magneto-Optical Devices Fabricated by μ-Transfer Printing
μ转移印刷制造的硅波导磁光器件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Murai Toshiya;Shoji Yuya;Nishiyama Nobuhiko;Mizumoto Tetsuya;Yuya Shoji;Yuki Hara;Shun Yajima;Shun Yajima;庄司 雄哉;矢島 駿;Shuyuan Liu;庄司 雄哉;谷口 翔平;Yuya Shoji;Zhu Liang;Yisheng Ni;庄司 雄哉;矢島 駿;峰村 大輝;Toshiya Murai;Daiki Minemura;Shuyuan Liu;Shun Yajima;Yuki Hara;谷口翔平;丹下湧斗;村井俊哉;Shuyuan Liu;峰村大輝;ラネプラヒュウェッジネランジト;矢島駿;峰村大輝;Tetsuya Mizumoto;Tetsuya Mizumoto;Toshiya Murai;矢島駿;原雄基;Ryota Yokoi;Daiki Minemura
  • 通讯作者:
    Daiki Minemura

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  • 通讯作者:
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Highly Efficient Semiconductor Membrane Lasers toward Drastic Reduction of Data Transmission Energy Cost
高效半导体膜激光器可大幅降低数据传输能源成本
  • 批准号:
    20H02200
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

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Feasibility of an InP Reflective Semiconductor Optical Amplifier on a Silicon Nitride hybrid integration platform.
氮化硅混合集成平台上 InP 反射半导体光放大器的可行性。
  • 批准号:
    477622-2014
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
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    Engage Grants Program
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InP基半导体自旋电子学
  • 批准号:
    25390052
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 11.32万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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InP基室温半导体自旋电子材料与器件
  • 批准号:
    22560005
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 11.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Design and characterization of metal contacts to GaAs- and InP- based semiconductor devices
GaAs 和 InP 基半导体器件金属接触的设计和表征
  • 批准号:
    167804-1994
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 11.32万
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    Collaborative Research and Development Grants
Study of the insulator-semiconductor transition layer for remote plasma deposited silicon nitride on InP
InP上远程等离子体沉积氮化硅绝缘体-半导体过渡层的研究
  • 批准号:
    138085-1993
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 11.32万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Design and characterization of metal contacts to GaAs- and InP- based semiconductor devices
GaAs 和 InP 基半导体器件金属接触的设计和表征
  • 批准号:
    167804-1994
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 11.32万
  • 项目类别:
    Collaborative Research and Development Grants
Study of the insulator-semiconductor transition layer for remote plasma deposited silicon nitride on InP
InP上远程等离子体沉积氮化硅绝缘体-半导体过渡层的研究
  • 批准号:
    138085-1993
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 11.32万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Study of the insulator-semiconductor transition layer for remote plasma deposited silicon nitride on InP
InP上远程等离子体沉积氮化硅绝缘体-半导体过渡层的研究
  • 批准号:
    138085-1993
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 11.32万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Fabrication of metal-insulator-semiconductor field effect transistors on InP and InGaAs
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  • 批准号:
    102633-1989
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 11.32万
  • 项目类别:
    Collaborative Research and Development Grants
Fabrication of metal-insulator-semiconductor field effect transistors on InP and InGaAs
InP 和 InGaAs 金属-绝缘体-半导体场效应晶体管的制造
  • 批准号:
    102633-1989
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 11.32万
  • 项目类别:
    Collaborative Research and Development Grants
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作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了