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Light emitting diode using rare earth-doped amorphous oxide semiconductors on a glass substrate

在玻璃基板上使用稀土掺杂非晶氧化物半导体的发光二极管

基本信息

批准号：
20H02433
负责人：
Ide Keisuke
金额：
$ 11.73万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02433/
关键词：
アモルファス酸化物半導体蛍光体発光ダイオード

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（25）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Transport properties of Zn3N2 investigated by ionic liquid gated electric-double-layer transistors

离子液体门控双电层晶体管研究Zn3N2的输运特性

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kaiwen Li;Kota Hanzawa;Keisuke Ide;Kosuke Matsuzaki;Takayoshi Katase;Hidenori Hiramatsu;Hideo Hosono;Zhang Qun;Toshio Kamiya
通讯作者：
Toshio Kamiya

神谷研究室

神谷研究所

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Liwei Li,井手啓介,片瀬貴義,細野秀雄,神谷利夫Local bonding structures in amorphous oxide semiconductors studied by DFT and machine-learning potential

Liwei Li、Keisuke Ide、Takayoshi Katase、Hideo Hosono、Toshio Kamiya通过 DFT 和机器学习潜力研究非晶氧化物半导体中的局域键合结构

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Z. Ma;Y. Suzuki;Liwei Li,井手啓介,片瀬貴義,細野秀雄,神谷利夫
通讯作者：
Liwei Li,井手啓介,片瀬貴義,細野秀雄,神谷利夫

Effect of hydrogen doping on transport property of ultrawide bandgap amorphous oxide semiconductor, amorphous Ga-O

氢掺杂对超宽带隙非晶氧化物半导体非晶Ga-O输运性能的影响

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Keisuke Ide;Yukari Kasai;Akihiro Kato;Takayoshi Katase;Hidenori Hiramatsu;Hideo Hosono;Toshio Kamiya
通讯作者：
Toshio Kamiya

水素ドープアモルファス酸化ガリウムを用いた薄膜トランジスタ

使用氢掺杂非晶氧化镓的薄膜晶体管

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tsuyoshi Honma;Miyuri Terasawa;Takayuki Komatsu;加藤昭宏，笠井悠莉華，井手啓介，片瀬貴義，平松秀典，細野秀雄，神谷利夫
通讯作者：
加藤昭宏，笠井悠莉華，井手啓介，片瀬貴義，平松秀典，細野秀雄，神谷利夫

DOI：
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作者：
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Physical Chemistry Chemical Physics
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
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Wu Chia-En;Ide Keisuke;Katase Takayoshi;Hiramatsu Hidenori;Hosono Hideo;Lin Chih-Lung;Kamiya Toshio;Takayoshi Katase and Hiromichi Ohta;片瀬貴義
通讯作者：
片瀬貴義