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Light emitting diode using rare earth-doped amorphous oxide semiconductors on a glass substrate

Light emitting diode using rare earth-doped amorphous oxide semiconductors on a glass substrate
在玻璃基板上使用稀土掺杂非晶氧化物半导体的发光二极管
批准号：
20H02433
负责人：
Ide Keisuke
金额：
$11.73万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02433/
关键词：
アモルファス酸化物半導体蛍光体発光ダイオード

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发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [Kaiwen Li, Kota Hanzawa, Keisuke Ide, Kosuke Matsuzaki, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Zhang Qun, Toshio Kamiya]
通讯作者： Toshio Kamiya
神谷研究室
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发表时间：
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作者： []
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Liwei Li,井手啓介,片瀬貴義,細野秀雄,神谷利夫Local bonding structures in amorphous oxide semiconductors studied by DFT and machine-learning potential
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发表时间： 2022
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发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [Keisuke Ide, Yukari Kasai, Akihiro Kato, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya]
通讯作者： Toshio Kamiya
共 19 条
    Sensitive optical sensors using amorphous oxide semiconductors
    • 批准号：
      21K18814
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.08万
    • 财政年份：
      2021
    • 负责人：
      Ide Keisuke
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    海外基金