Sensitive optical sensors using amorphous oxide semiconductors
Sensitive optical sensors using amorphous oxide semiconductors
使用非晶氧化物半导体的灵敏光学传感器
批准号：
21K18814
负责人：
Ide Keisuke
金额：
$4.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2021-07-09 至 2023-03-31
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Transport properties of Zn3N2 investigated by ionic liquid gated electric-double-layer transistors
离子液体门控双电层晶体管研究Zn3N2的输运特性
离子液体门控双电层晶体管研究Zn3N2的输运特性
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kaiwen Li, Kota Hanzawa, Keisuke Ide, Kosuke Matsuzaki, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Zhang Qun, Toshio Kamiya]
通讯作者：
Toshio Kamiya
神谷研究室
神谷研究所
神谷研究所
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Present status of amorphous oxide semiconductor: Electronic defects and material development
非晶氧化物半导体的现状：电子缺陷与材料发展
非晶氧化物半导体的现状：电子缺陷与材料发展
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Ide, H. Hosono, T. Kamiya]
通讯作者：
T. Kamiya
Fabrication of Zn3N2 electric double layer transistor by ionic liquid gating
离子液体门控制备Zn3N2双电层晶体管
离子液体门控制备Zn3N2双电层晶体管
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kaiwen Li, Kota Hanzawa, Keisuke Ide, Kosuke Matsuzaki, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Qun Zhang, Toshio Kamiya]
通讯作者：
Toshio Kamiya
Fudan University(中国)
复旦大学（中国）
复旦大学（中国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 19 条
Light emitting diode using rare earth-doped amorphous oxide semiconductors on a glass substrate
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批准号：20H02433
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.73万
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财政年份：2020
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负责人：Ide Keisuke
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依托单位：
海外基金