Investigation on aliovalent doping effect in nickelates with infinite structures using epitaxial thin films
Investigation on aliovalent doping effect in nickelates with infinite structures using epitaxial thin films
批准号:
20H02435
负责人:
Matsuda Akifumi
金额:
$11.4万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2020
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2020-04-01 至 2023-03-31
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Vacuum-Ultraviolet Excimer Light Derived Conductivity and Structural Modification of Pure NiO Epitaxial Thin Films
纯 NiO 外延薄膜的真空紫外准分子光衍生电导率和结构修饰
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kenta Kaneko, Tomoaki Oga, Hiroki Shoji, Shohei Hisatomi, Satoru Kaneko, Mamoru Yoshimoto, and Akifumi Matsuda]
通讯作者:
and Akifumi Matsuda
エピタキシャルNiO薄膜へのエキシマ真空紫外光照射による導電性制御・構造変化
准分子真空紫外光照射外延NiO薄膜的电导率控制和结构变化
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[金子健太, 庄司拓貴, 大賀友瑛, 金子智, 吉本護, 松田晃史]
通讯作者:
松田晃史
真空紫外光照射によるエピタキシャル酸化コバルト薄膜の結晶相変化
真空紫外光照射外延氧化钴薄膜晶相变化
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[金子健太, 庄司拓貴, 喬宇馳, 大賀友瑛, 金子智, 吉本護, 松田晃史]
通讯作者:
松田晃史
PLDおよびO2アニールによる異原子価ドープ層状ペロブスカイト型La-Ni-O薄膜の作製
PLD和O2退火制备不同价态掺杂层状钙钛矿型La-Ni-O薄膜
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[末國 晃一郎, 萩原 岳志, 高橋 聖弥, 西堀 英治, SAUERSCHNIG Philipp, 太田 道広, 大瀧 倫卓, 出口翔大,柴田洋佑,浅井光輝, 久富翔平,生田貴大,大賀友瑛,金子智,松田晃史,吉本護]
通讯作者:
久富翔平,生田貴大,大賀友瑛,金子智,松田晃史,吉本護
Room-temperature heteroepitaxy of functional oxide nanomaterials with the use of excimer laser processing
使用准分子激光加工的功能氧化物纳米材料的室温异质外延
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Nakayama Masanobu, Nakano Koki, Harada Maho, Tanibata Naoto, Takeda Hayami, Noda Yusuke, Kobayashi Ryo, Karasuyama Masayuki, Takeuchi Ichiro, Kotobuki Masashi, Akifumi Matsuda]
通讯作者:
Akifumi Matsuda
共 25 条
Development of wide-bandgap oxide epitaxial thin films by multi-wavelength excimer laser processing and substrates modification
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批准号:15K20988
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.66万
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财政年份:2015
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负责人:Matsuda Akifumi
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依托单位:
海外基金