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Development of wide-bandgap oxide epitaxial thin films by multi-wavelength excimer laser processing and substrates modification

Development of wide-bandgap oxide epitaxial thin films by multi-wavelength excimer laser processing and substrates modification
通过多波长准分子激光加工和衬底改性开发宽带隙氧化物外延薄膜
批准号：
15K20988
负责人：
Matsuda Akifumi
金额：
$2.66万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15K20988/
关键词：
室温エピタキシーワイドギャップ酸化物半導体エピタキシャル薄膜エキシマレーザープロセス固相結晶化酸化ガリウム結晶核形成制御バッファ層ワイドギャップ半導体エキシマレーザーアニーリング固相エピタキシー薄膜構造解析低温プロセス構造解析低温成長レーザーアニールレーザアニール

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Room-temperature solid-phase epitaxial growth of β-Ga2O3 thin films on NiO-buffered sapphire (0001) substrates by KrF excimer laser annealing
通过 KrF 准分子激光退火在 NiO 缓冲蓝宝石 (0001) 衬底上室温固相外延生长 β-Ga2O3 薄膜
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Daishi Shiojiri, Daiji Fukuda, Nobuo Tsuchimine, Koji Koyama, Satoru Kaneko, Akifumi Matsuda, and Mamoru Yoshimoto]
通讯作者： and Mamoru Yoshimoto
レーザプロセスによるワイドギャップβ-Ga2O3薄膜の低温エピタキシー
激光低温外延宽禁带β-Ga2O3薄膜
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [松田晃史, 塩尻大士, 福田大二, 内田啓貴, 土嶺信男, 金子智, 吉本護]
通讯作者： 吉本護
UV光励起を使ったワイドギャップβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜の室温合成
利用紫外光激发室温合成宽禁带 β-Ga2O3 外延薄膜
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [森田　公之, 大賀　友瑛, 土嶺　信男, 金子　智, 松田　晃史, 吉本　護]
通讯作者： 吉本　護
Buffer-layer Enhanced Heteroepitaxy of Wide-bandgap Semiconductor Thin Films by Room-temperature Laser Processing
室温激光加工缓冲层增强宽带隙半导体薄膜异质外延
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [中村稀星, 内田啓貴, 土嶺信男, 金子智, 松田晃史, 吉本護, Akifumi Matsuda and Mamoru Yoshimoto, Akifumi Matsuda and Mamoru Yoshimoto]
通讯作者： Akifumi Matsuda and Mamoru Yoshimoto
共 31 条
    Investigation on aliovalent doping effect in nickelates with infinite structures using epitaxial thin films
    • 批准号：
      20H02435
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.4万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Matsuda Akifumi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology