课题基金 / 基金详情

Development of finishing methods for creation of atomically flat side-surfaces of three-dimensional nano-devices utilizing defect-site selective reactions

Development of finishing methods for creation of atomically flat side-surfaces of three-dimensional nano-devices utilizing defect-site selective reactions
开发利用缺陷位点选择性反应创建三维纳米器件原子级平坦侧面的精加工方法
批准号:
20H02483
负责人:
HATTORI Ken
金额:
$11.73万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2020
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2020-04-01 至 2023-03-31

项目摘要

项目成果

HATTORI Ken的其他基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(43)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
原子平坦立体表面をもつマイクロピラミッドシリコンの創成: 立体表面構造分析と特異物性
创建具有原子级平坦 3D 表面的微金字塔硅:3D 表面结构分析和奇异物理特性
DOI: --
发表时间: 2021
期刊:
影响因子: --
作者: [大内 隆成, 岡部 徹, 柳谷理沙,鈴木由美,佐藤翔輔,田中聡,重川希志依, Xin Lu,竹田修,朱鴻民, Yoshi Fujiwara, 滝本優介,Ji Ha Lee,矢吹彰広, 石谷 康平,勝部 涼司,野瀬 嘉太郎, 服部 賢]
通讯作者: 服部 賢
DOI: 10.1380/ejssnt.2021.13
发表时间: 2021
期刊: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology
影响因子: 0.7
作者: [Nakatsuka Sohei, Imaizumi Taishi, Abukawa Tadashi, Hattori Azusa N., Tanaka Hidekazu, Hattori Ken]
通讯作者: Hattori Ken
DOI: --
发表时间: 2021
期刊:
影响因子: --
作者: [服部 梓, 大坂 藍, 田中 秀和, Liliany N. Pamasi, 細糸信好, Aydar Irmikimov, 東 嵩晃, 阪井 雄也, Haobang Yang, 服部 賢]
通讯作者: 服部 賢
研究室紹介
实验室介绍
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
39
    Cross-sectional scanning tunneling microscopy observations for interface structures of ultra-thin films on Si surfaces using cleavage methods
    • 批准号:
      21540322
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.83万
    • 财政年份:
      2009
    • 负责人:
      HATTORI Ken
    • 依托单位:
    Adsorption and desorption of active gases on Si(111) surfaces with ultra-thin Ag films
    • 批准号:
      12640313
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.43万
    • 财政年份:
      2000
    • 负责人:
      HATTORI Ken
    • 依托单位: