Cross-sectional scanning tunneling microscopy observations for interface structures of ultra-thin films on Si surfaces using cleavage methods

断面扫描隧道显微镜观察硅表面超薄膜界面结构的解理方法

• 批准号: 21540322
• 负责人: HATTORI Ken
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Nara Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21540322/
• 关键词: 走査トンネル顕微鏡; へき開法; 断面; シリコン; 界面構造; へき開; 薄膜; シリコン表面

We have developed a new cleaving method to observe cross-sectional structures of interface regions including thin film systems grown on silicon-wafer surfaces using scanning tunneling microscope. This method is much easier than the previous ones and allows to prepare wide and flat cleaved surfaces. We cleaved a silicon wafer with the metal-oxide-semiconductor structure in vacuum by the method, and microscopically observed the interface region. We succeeded to identify the metal and semiconductor cross-sectional regions combined with the scanning tunneling spectroscopy.

我们发展了一种新的解理方法，用扫描隧道显微镜观察硅晶片表面生长的界面区（包括薄膜系统）的横截面结构。这种方法比以前的方法容易得多，并且可以制备宽而平坦的解理表面。用该方法在真空中解理了具有金属-氧化物-半导体结构的硅片，并对界面区进行了显微观察。我们成功地确定了金属和半导体的横截面区域结合扫描隧道光谱。

项目成果

薄膜基板界面観察用の断面STMシステムの開発

开发用于观察薄膜基板界面的横截面 STM 系统

• 发表时间: 2010
• 作者: 米井仁志;服部賢;上田一之;大門寛
• 通讯作者: 大門寛

シリコンウェハー薄膜界面領域の断面走査トンネル顕微観察を目指したへき開手法の開発

硅片薄膜界面区截面扫描隧道显微观察解理方法的研制

• 发表时间: 2012
• 期刊: 化学工業
• 作者: 服部賢;立花和也;大門寛
• 通讯作者: 大門寛

Siウェハー上の薄膜界面領域観察を目指した断面STMシステムの開発

开发横截面 STM 系统，旨在观察硅晶圆上的薄膜界面区域

• 发表时间: 2012
• 作者: 立花和也;太田啓介;服部賢;上田一之;大門寛
• 通讯作者: 大門寛