Cross-sectional scanning tunneling microscopy observations for interface structures of ultra-thin films on Si surfaces using cleavage methods

断面扫描隧道显微镜观察硅表面超薄膜界面结构的解理方法

• 批准号: 21540322
• 负责人: HATTORI Ken
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Nara Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21540322/
• 关键词: 走査トンネル顕微鏡; へき開法; 断面; シリコン; 界面構造; へき開; 薄膜; シリコン表面

We have developed a new cleaving method to observe cross-sectional structures of interface regions including thin film systems grown on silicon-wafer surfaces using scanning tunneling microscope. This method is much easier than the previous ones and allows to prepare wide and flat cleaved surfaces. We cleaved a silicon wafer with the metal-oxide-semiconductor structure in vacuum by the method, and microscopically observed the interface region. We succeeded to identify the metal and semiconductor cross-sectional regions combined with the scanning tunneling spectroscopy.

我们已经开发了一种新的切割方法，可以观察界面区域的横截面结构，包括使用扫描隧道显微镜在硅磁带表面上生长的薄膜系统。该方法比以前的方法容易得多，并且可以准备宽且平坦的裂片表面。我们通过该方法在真空中用金属 - 氧化物 - 氧化物 - 轴导剂结构裂解了硅晶片，并在显微镜上观察到了界面区域。我们成功地确定了金属和半导体横截面区域，并结合了扫描隧道光谱。

项目成果

薄膜基板界面観察用の断面STMシステムの開発

开发用于观察薄膜基板界面的横截面 STM 系统

• 发表时间: 2010
• 作者: 米井仁志;服部賢;上田一之;大門寛
• 通讯作者: 大門寛

Siウェハー上の薄膜界面領域観察を目指した断面STMシステムの開発

开发横截面 STM 系统，旨在观察硅晶圆上的薄膜界面区域

• 发表时间: 2012
• 作者: 立花和也;太田啓介;服部賢;上田一之;大門寛
• 通讯作者: 大門寛

シリコンウェハー薄膜界面領域の断面走査トンネル顕微観察を目指したへき開手法の開発

硅片薄膜界面区截面扫描隧道显微观察解理方法的研制

• 发表时间: 2012
• 期刊: 化学工業
• 作者: 服部賢;立花和也;大門寛
• 通讯作者: 大門寛