权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

有機カチオンを構造骨格に利用する新規設計指針に基づく高速アニオン伝導体の創製

使用有机阳离子作为结构骨架，根据新的设计指南创建高速阴离子导体

基本信息

批准号：
20J12230
负责人：
本橋宏大
金额：
$ 1.34万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-24 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

点欠陥・構造的欠陥を導入したアニオン伝導体の開発をした．構造的欠陥を導入した試料については，その構造とイオン伝導特性の相関を明らかにすることにも取り組んだ．前者については，層状構造を有する複合アニオン化合物のYOFやBa2ScO3Fに対して種々の点欠陥を導入して，そのイオン伝導特性を評価した．これらの結果を基に，立方晶構造のBaScO2Fを開発した．フッ化物イオン空孔を導入したBaScO2Fの導電率は，200℃において4×10^-5 S cm-1であった．この値は既報の酸フッ化物で最も高い値であった．以上の点欠陥を有する新規フッ化物イオン伝導体の開発に成功した．後者については，分子性カチオン含有フッ化物NH4(Mg0.8Li0.2)F2.8に対し，遊星型ボールミル装置を用いてメカニカルミリング（MM）処理を施すことで構造的欠陥の導入を行った．MM処理後の試料で，結晶子の微細化あるいは非晶質化が確認された．MM処理を施したNH4(Mg0.8Li0.2)F2.8の導電率は，MM処理前と比べ，100倍程度向上した．その値は室温で10^-5 S cm-1という，近年報告されているフッ化物イオン伝導体の中で高い導電率を達成した．この導電率向上の要因の解明を試みた．大型放射光施設SPring-8のBL04B2にて高輝度X線全散乱測定によるPDF解析と，TEM観察に取り組んだ．これにより，MM処理時間毎の非晶質化度の情報と微細構造の情報を取得した．これらの結果から，微細化によりイオン伝導特性が向上していることが示唆された．一方非晶質化については，イオン伝導を阻害する成分であることを示唆された．以上から，点欠陥・構造的欠陥を有するアニオン伝導体の開発に成功した．

The structure of the point is incomplete and the conductor is open. The structure of the sample is introduced into the structure of the sample, and the structure of the sample is introduced into the sample. In the former case, the layered structure of YOF and Ba2ScO3F compounds was studied. As a result, BaScO2F cubic crystal structure has been developed. The conductivity of BaScO2F is 4×10^-5 S cm-1 at 200℃. The highest value of the acid compound is the highest value. The above points are incomplete. The new regulations are successful in the development of conductors. The latter is molecular and contains NH4. In response to (Mg0.8Li0.2)F2.8, the introduction of structural defects was carried out by using a star-shaped micro-cell device and performing a Mekanal Milliken (MM) process. In the sample after the MM process, the refinement of the crystals and, if any, the amorphization were confirmed. The MM process was performed in NH4 The conductivity of (Mg0.8Li0.2)F2.8 is 100 times higher than that before MM treatment. In recent years, it has been reported that the conductivity of the conductor in the middle of the temperature range is 10 -5 S cm-1. The electrical conductivity of this material is mainly due to the solution of this problem. SPring-8 and BL04B2, a large-scale radiation facility, were used for high-intensity X-ray total scatter measurement. In this case, MM processing time and amorphization information and microstructure information are obtained. As a result of this, the miniaturization of the transmission characteristics of the transmission is upward. A party of amorphous silicon is not allowed to form. The above mentioned problems are due to the failure of the structure and the successful development of the conductor.