Development of thermal transistor using transition metal oxide
Development of thermal transistor using transition metal oxide
使用过渡金属氧化物的热晶体管的开发
批准号：
20J14755
负责人：
KIM GOWOON
金额：
$1.34万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-24 至 2022-03-31
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英文摘要
In this research, I introduced oxygen concentration by electrochemical redox treatment and controlled the electrical, optical, structural properties.The electrical conductivity was controlled from ~400 S cm－1 to an insulator, and the optical transmission at 1.5μm in wavelength was controlled in the range of 35 － 70%. This result would be useful for developing metal oxide epitaxial film-based electrochemical optoelectronic devices. [1, 2][1] G. Kim* et al., ACS. Appl. Electron. Mater. 3, 3619-3624 (2021)
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DOI：
10.1021/acsaelm.0c00428
发表时间：
2020-07
期刊：
ACS Applied Electronic Materials
影响因子：
4.7
作者：
[Gowoon Kim;B. Feng;Y. Sheu;H. Cho;Y. Ikuhara;H. Ohta]
通讯作者：
Gowoon Kim;B. Feng;Y. Sheu;H. Cho;Y. Ikuhara;H. Ohta
Phonon-Glass and Electron-Crystal Behavior of WOx Films containing 1D Atomic Defect Tunnels
含有一维原子缺陷隧道的 WOx 薄膜的声子玻璃和电子晶体行为
含有一维原子缺陷隧道的 WOx 薄膜的声子玻璃和电子晶体行为
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Gowoon Kim, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, Yu-Miin Sheu, Hai Jun Cho, and Hiromichi Ohta]
通讯作者：
and Hiromichi Ohta
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高野沙織, 澤山沙希, 韓 智海, 藤井健太, 森正光, Gowoon Kim]
通讯作者：
Gowoon Kim
Pusan National University(韓国)
釜山国立大学（韩国）
釜山国立大学（韩国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
酸化タングステンエピタキシャル薄膜中で安定化された1次元原子欠陥トンネルの異方性電子輸送
氧化钨外延薄膜中稳定的一维原子缺陷隧道中的各向异性电子传输
氧化钨外延薄膜中稳定的一维原子缺陷隧道中的各向异性电子传输
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[長嶋宏樹, 河岡秀平, 秋本誠志, 三枝稔幸, 酒井隼人, 松井康哲, 立川貴士, 羽曾部卓, 池田浩, 小堀康博, キムゴウン，フウビン，リュサンギュン，ジンヒョンジン，ジョヘジュン，幾原雄一，太田裕道]
通讯作者：
キムゴウン，フウビン，リュサンギュン，ジンヒョンジン，ジョヘジュン，幾原雄一，太田裕道
共 18 条
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