Boron-based semiconductors - the next generation of high thermal conductivity materials
硼基半导体——下一代高导热材料
基本信息
- 批准号:EP/W034751/1
- 负责人:
- 金额:$ 31.28万
- 依托单位:
- 依托单位国家:英国
- 项目类别:Research Grant
- 财政年份:2023
- 资助国家:英国
- 起止时间:2023 至 无数据
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.
目前,GtR 中尚未提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要,但可能是因为它包含个人详细信息等敏感信息。
项目成果
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Martin Kuball其他文献
Non-Arrhenius Degradation of AlGaN/GaN HEMTs Grown on Bulk GaN Substrates
在块状 GaN 衬底上生长的 AlGaN/GaN HEMT 的非阿累尼乌斯退化
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Martin Kuball
Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製
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- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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梁 剣波
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- DOI:
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2017 - 期刊:
- 影响因子:3.1
- 作者:
W. M. Waller;M. Gajda;S. Pandey;J. Donkers;D. Calton;J. Croon;J. Sonsky;M. Uren;Martin Kuball - 通讯作者:
Martin Kuball
Elimination of Degenerate Epitaxy in the Growth of High Quality B 12 As 2 Single Crystalline Epitaxial Films
高质量B 12 As 2 单晶外延薄膜生长过程中简并外延的消除
- DOI:
10.1557/opl.2011.316 - 发表时间:
2011 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Yu Zhang;Hui Chen;M. Dudley;Yi Zhang;J. Edgar;Y. Gong;S. Bakalova;Martin Kuball;Lihua Zhang;D. Su;Yimei Zhu - 通讯作者:
Yimei Zhu
Growth Mechanisms and Defect Structures of B12As2 Epilayers Grown on 4H-SiC Substrates
4H-SiC 衬底上生长的 B12As2 外延层的生长机制和缺陷结构
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10.1016/j.jcrysgro.2011.12.065 - 发表时间:
2011 - 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:
Yu Zhang;Hui Chen;M. Dudley;Yi Zhang;J. Edgar;Y. Gong;S. Bakalova;Martin Kuball;Lihua Zhang;D. Su;Yimei Zhu - 通讯作者:
Yimei Zhu
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Transforming Net Zero with Ultrawide Bandgap Semiconductor Device Technology (REWIRE)
利用超宽带隙半导体器件技术 (REWIRE) 改造净零
- 批准号:
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Research Grant
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Research Grant
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Research Grant
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GaN 电子器件中的亚微米 3D 电场测绘
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$ 31.28万 - 项目类别:
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Quantitative non-destructive nanoscale characterisation of advanced materials
先进材料的定量无损纳米级表征
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EP/P013562/1 - 财政年份:2017
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Research Grant
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Incentive and governance schenism study of corporate green washing behavior in China: Based on an integiated view of econfiguration of environmental authority and decoupling logic
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- 批准号:W2433169
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- 批准年份:2020
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相似海外基金
Investigating heterojunction-based organic phototransistors and circuits using layer-by-layer coated highly-oriented polymer semiconductors
使用逐层涂覆的高取向聚合物半导体研究基于异质结的有机光电晶体管和电路
- 批准号:
24K17743 - 财政年份:2024
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FuSe-TG: Co-Design of Germanium Oxide-based Semiconductors from Deposition to Devices
FuSe-TG:氧化锗基半导体从沉积到器件的协同设计
- 批准号:
2235208 - 财政年份:2023
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Laser particles-based spatiotemporal and dynamic single-cell multiomics
基于激光粒子的时空和动态单细胞多组学
- 批准号:
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A Smart Semiconductor based Integrated Continuous Diabetes Monitoring Platform
基于智能半导体的集成连续糖尿病监测平台
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在 Si(001) 外延衬底上直接生长三元或更高砷化物基半导体
- 批准号:
23K04598 - 财政年份:2023
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$ 31.28万 - 项目类别:
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Thermoradiative Energy Conversion Devices Based on Narrow Bandgap Antimonide Semiconductors
基于窄带隙锑化物半导体的热辐射能量转换器件
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$ 31.28万 - 项目类别:
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10589708 - 财政年份:2023
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$ 31.28万 - 项目类别:
Boron-based semiconductors - the next generation of high thermal conductivity materials
硼基半导体——下一代高导热材料
- 批准号:
EP/W035510/1 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 31.28万 - 项目类别:
Research Grant
Spin-photon interfaces based on isoelectronic centers in semiconductors
基于半导体等电子中心的自旋光子界面
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RGPIN-2017-06284 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 31.28万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Wearable, Graphene-based Flexible Sensors for Chronic Monitoring of Venous Thromboembolism for High-Risk Patients
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10505269 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 31.28万 - 项目类别:














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