III-As/Sbナノワイヤヘテロ構造選択成長と立体集積回路応用に関する研究

三-As/Sb纳米线异质结构选择性生长及其在三维集成电路中的应用研究

基本信息

  • 批准号:
    20J20578
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.6万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-24 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究では、半導体選択成長技術を用いてIn(Ga)As/GaSbコアシェルナノワイヤをSOI(111)細線構造上に選択成長する技術を確立する。このナノワイヤをチャネルとして用いることで、低消費電力化と高性能化を両立できる立体集積回路の基盤技術を確立する。In(Ga)As/GaSbコアシェルナノワイヤを用いることで、高い移動度を有するIn(Ga)Asナノワイヤ(コア)をn型チャネル、GaSbシェルをp型チャネルとして用いることができる。これにより、III-V集積回路の課題であるn型、p型チャネルの一括集積の課題を解決できる。また、単一のナノワイヤチャネルでn型、p型動作が可能で、柔軟な回路設計が期待できる。さらに、この縦型ナノワイヤFET構造からなる立体集積回路を作製し、回路動作を評価することで、超低消費電力・超高性能立体集積回路の実現を目指す。研究期間を3年に設定し、(i) 結晶成長【In(Ga)As/GaSbコアシェルナノワイヤ集積とSOI細線上のナノワイヤ集積技術】、(ii) デバイス作製【InAsナノワイヤ縦型トランジスタとGaSb縦型トランジスタ作製】、(iii) 回路実証【インバータ回路・リング発振回路による評価】の3課題について取り組む。R4年度では、主に下記の研究事項について実施した。・InGaAs/GaSbコアシェルナノワイヤを用いたn型、p型トランジスタの高性能化
In this study, we selected the growth technology of In (Ga) As/GaSb system and SOI (11 1) line. In order to ensure the establishment of the basic technology of the three-dimensional integrated circuit, the high-performance equipment of low-power equipment and low-power equipment is used to ensure the establishment of the equipment. In (Ga) As/GaSb has a high degree of mobility, such as In (Ga), As, n-type, and GaSb-type, respectively. The problem solving problem in one set of III-V collection circuit problem solving and p-type circuit problem solving It is possible that the action of type n, type p, and the design of flexible circuit are expected to be tested. The equipment, equipment and equipment. During the period of the study, (I) growth of crystals [In (Ga) As/GaSb operating system], (ii) operating system [InAs operating system], (ii) operating system [InAs operating system], (I) growth of crystals, (I) Crystal growth, (I) growth, (I) (iii) Loop data acquisition is required for the vibration loop. In the year of R4, the main staff will carry out research projects in the first place. InGaAs/ GASBG

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Dual switching operation of vertical gate-all-around transistor using InGaAs/GaSb core-shell nanowires on Si
使用 Si 上 InGaAs/GaSb 核壳纳米线的垂直环栅晶体管的双开关操作
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hironori Gamo;Junichi Motohisa;Katsuhiro Tomioka
  • 通讯作者:
    Katsuhiro Tomioka
Selective-Area Growth of AlInAs Nanowires
AlInAs 纳米线的选择性区域生长
  • DOI:
    10.1149/09806.0149ecst
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tai Yoshiki;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Tomioka Katsuhiro
  • 通讯作者:
    Tomioka Katsuhiro
Si上のInAs/GaSbコアシェルナノワイヤ縦型サラウンディングゲートトランジスタの試作
Si 上 InAs/GaSb 核壳纳米线垂直环绕栅晶体管原型
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    蒲生 浩憲;本久 順一;冨岡 克広
  • 通讯作者:
    冨岡 克広
Selective-area growth of pulse-doped InAs related nanowire-channels on Si
Si 上脉冲掺杂 InAs 相关纳米线通道的选择性区域生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Gamou;K. Tomioka;A. Yoshida;J. Motohisa
  • 通讯作者:
    J. Motohisa
Si上InAs/GaSbコアシェルナノワイヤ選択成長と電気特性
Si 上 InAs/GaSb 核壳纳米线的选择性生长及其电学性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    蒲生 浩憲;陳 栎安;勝見 悠;本久 順一;冨岡 克広
  • 通讯作者:
    冨岡 克広
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

蒲生 浩憲其他文献

Organization as a Catalyst of Social Capital: the effect of mobility on academic collaboration
组织作为社会资本的催化剂:流动性对学术合作的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    蒲生 浩憲;本久 順一;冨岡 克広;渡邊航・竹田光孝・長尾一哲・大宮寛久;横田 一貴
  • 通讯作者:
    横田 一貴
Si上InAs/GaSbコアシェルナノワイヤ選択成長
Si 上选择性生长 InAs/GaSb 核壳纳米线
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    蒲生 浩憲;冨岡 克広
  • 通讯作者:
    冨岡 克広
Si上InAsナノワイヤ縦型FET高性能化の検討
提高Si基InAs纳米线垂直FET性能的研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    蒲生 浩憲;冨岡 克広;吉田 旭伸;千葉 康平;本久 順一
  • 通讯作者:
    本久 順一
Si上InGaAs/GaSbコアシェルナノワイヤ選択成長
Si 上选择性生长 InGaAs/GaSb 核壳纳米线
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    蒲生 浩憲;冨岡 克広
  • 通讯作者:
    冨岡 克広
InP ナノワイヤサラウンディングゲートトランジスタのスイッチング特性評価
InP纳米线围栅晶体管的开关特性评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    勝見 悠;蒲生 浩憲;赤松 知弥;本久 順一;冨岡 克広
  • 通讯作者:
    冨岡 克広

蒲生 浩憲的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似海外基金

前駆体相からの結晶成長による単結晶有機薄膜蒸着プロセスの開発とデバイス応用
前驱体相晶体生长单晶有机薄膜沉积工艺及器件应用的开发
  • 批准号:
    23K23214
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
MOD超電導薄膜の結晶成長のその場電子顕微鏡観察
MOD超导薄膜晶体生长的原位电镜观察
  • 批准号:
    24K08259
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
新奇量子系実現のための多元化合物ヘテロ界面の結晶成長
多组分化合物异质界面的晶体生长以实现新型量子系统
  • 批准号:
    24K08275
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
結晶成長におけるトポロジカル相に誘起されるパターン形成の研究
晶体生长中拓扑相诱导图案形成的研究
  • 批准号:
    24KJ0539
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
溶融金属中における合金結晶成長の原子スケール界面科学
熔融金属中合金晶体生长的原子尺度界面科学
  • 批准号:
    23K26543
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体結晶成長における三次元格子整合エピタキシーの追究
氮化物半导体晶体生长中三维晶格匹配外延的追求
  • 批准号:
    24K01366
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
エピタキシャル遷移金属炭化物を用いた遷移金属ダイカルコゲナイドの結晶成長
使用外延过渡金属碳化物进行过渡金属二硫属化物的晶体生长
  • 批准号:
    24K01347
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SBIR Phase I: Universal Crystal Growth Capsule and Novel Wafer Dicing Tool for In-Space Manufacturing
SBIR 第一阶段:用于太空制造的通用晶体生长舱和新型晶圆切割工具
  • 批准号:
    2419346
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Standard Grant
超高温下での氷結晶最外表面層の構造変化と結晶成長カイネティクスの相関の解明
阐明超高温下冰晶最外层结构变化与晶体生长动力学之间的相关性
  • 批准号:
    23K26555
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
CAREER: Transport Phenomena and the Uptake of Foreign Species during Crystal Growth
职业:晶体生长过程中的传输现象和外来物质的吸收
  • 批准号:
    2339644
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了